2026迎新局 | 思锐智能双机成功交付，以开门红之势启国产替代新征程
2026年新岁启封，青岛思锐智能科技股份有限公司（下称“思锐智能”）迎来开门红。
盛美上海推出三款面板级先进封装新产品
据消息，日前，盛美上海在投资者互动平台表示，第三季度，公司推出了三款面板级先进封装的新产品，包括水平式电镀设备、边缘刻蚀设备和负压清洗设备。
台积电总裁魏哲家访ASML 引发联想外界猜测可能改变心意
台积电先前一再表示，艾司摩尔（ASML）的高数值孔径极紫外光机台（High-NA EUV），太过昂贵，2026年前使用没有太大的经济效益，但日前台积电总裁魏哲家密访ASML总部，让外界不禁猜测，台积电是否改变心意。
立讯精密收购闻泰科技部分业务获批
自市场监管总局网站获悉，根据其公布的最新一批无条件批准经营者集中案件列表，立讯精密收购闻泰科技部分业务案在列。
第三代半导体检测设备企业国科测试完成数千万融资
10月29日，据天眼查披露消息，第三代半导体检测设备企业苏州国科测试科技有限公司（以下简称：国科测试）近日完成数千万元人民币A轮融资，由鑫霓资产独家投资，本轮融资资金将会用于批量产业化、人才建设、晶圆AOI研发和市场开拓。
SK海力士宣布最早2026年推出HBM4E内存 带宽为上代1.4倍
据消息，SK海力士HBM负责人Kim Gwi-wook表示，当前业界HBM技术已经到了新的水平，行业需求促使SK海力士将加速开发过程，最早在2026年推出HBM4E内存，相关内存带宽将是HBM4的1.4倍。
台积电3nm家族最新进度：N3E已有多家大客户采用 N3P已完成认证
台积电日前分享了公司3nm（N3）家族最新进度。其中，N3E已按计划于去年第四季开始量产，目前N3E已有多家大客户采用；N3P制程计划今年下半年量产，已完成认证，良率表现已接近N3E。
南京长晶年产200亿颗新型元器件项目预计8月竣工
据消息，近日，江苏长晶年产200亿颗新型元器件项目迎来最新进展，预计8月底完成竣工验收，9月投产运营。本项目的建成能提升国产化功率器件竞争实力，降低对国外产品的依赖。
三星将投资 2300 亿美元打造“巨型”芯片集群
据外媒，三星电子及其他韩国大企将加入一项韩国迄今为止最积极的关键技术投资计划——向包括芯片和EV在内的关键技术领域投入550万亿韩元（约合4220亿美元）
联电：与英特尔合作12nm工艺明年验证，预计2027年投产
近日，联华电子（UMC）在其公布的年度报告中提到，该企业现有规划中的最先进节点，同英特尔展开合作的12nm工艺目前开发顺利。
远期规模100亿！北京顺义股权投资引导基金正式发布
据人民网报道，11月27日，顺义区政府投资引导基金二期即北京顺义股权投资引导基金（有限合伙）揭牌发布。
存储芯片价格已较去年同期上涨约50% 报告称或还将持续上涨
据消息，存储芯片是半导体市场最主要的细分领域，主要分为闪存和内存。数据显示，今年以来存储芯片价格已较去年同期上涨约50%。某存储企业负责人表示，从2023年年底开始，半导体存储产业逐步进入上行周期，今年已多次收到上游存储芯片厂提高合约价的通知。有报告显示，存储芯片价格或还将持续上涨，预计今年第二季度DRAM内存新品合约价格将上涨13%至18%。
任正非：华为用三年时间完成超13000颗器件的替代开发
面对打压，华为用三年时间内完成13000+颗器件的替代开发、4000+电路板的反复换板开发……“直到现在我们电路板才稳定下来，因为我们有国产的零部件供应了。"
英伟达计划5年内在台设立研发中心
据报道，6月4日，英伟达（NVIDIA）执行长黄仁勋表示，英伟达仍会持续在台湾地区扩大规模，有意在5年内设立研发中心，可能会在台北、台南、高雄三地择一落脚，并且将雇用上千位工程师，涵盖芯片、软体、系统、人工智能等领域。另外，也将与大学合作进行创新研究。
韩国将投资超2000亿韩元发展先进芯片封装
据悉，韩国政府已通过一项旨在促进芯片封装先进技术发展的国家项目。该项目通过了韩国科技评估与规划研究院（KISTEP）的初步可行性审查，该研究院是为韩国科学技术发展制定政策的政府智库。
博世将获美芯片补贴扩产SiC半导体
据媒体报道，美国商务部13日宣布，已与德国汽车零部件供应商博世达成初步协议，向其提供至多2.25亿美元补贴，用于在加州生产碳化硅（SiC）功率半导体。
