三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度

据消息,三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前,8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨,这主要是因为地震影响美光内存产能,短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外,HBM内存需求旺盛,在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下,通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。​

总投资20亿元,路芯半导体掩膜版生产项目奠基开工

项目拟投资20亿元,占地面积74亩,建成后具备年产约35000片半导体掩膜版生产能力,技术节点达到28nm,可广泛应用于高性能计算、人工智能、移动通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车等众多产业涉及的集成电路半导体芯片制造、封装等领域

中国科学家在半导体领域获突破

近日,中国科学院大学教授周武课题组与山西大学教授韩拯课题组、辽宁材料实验室副研究员王汉文课题组、中山大学教授侯仰龙课题组、中国科学院金属研究所研究员李秀艳课题组等合作,提出了一种全新的基于界面耦合的p型掺杂二维半导体方法。

紫光集团更名“新紫光” 将加大硬科技布局

今日上午举行的2024(第十六届)半导体市场年会上,紫光集团宣布正式更名为“新紫光集团”。新紫光集团联席总裁陈杰表示,新紫光将通过加大研发投入和聚集优秀人才在多个硬科技领域进行布局。例如将探索新型的“存算-算网”一体化架构,打造满足下一代智算中心的集群解决方案;聚焦第二代III-V族化合物半导体、碳纳米管、3D堆叠、异质集成、Chiplet封装等前沿研究,推动先进工艺加速突破。

格芯先进制程落后引发担忧,硅光子与功率芯片是方向

在半导体行业持续发力人工智能(AI)的背景下,格芯迟迟未进军7nm及以下先进制程引发业界担忧,怀疑其能否深度参与人工智能市场。台积电、三星、英特尔等纷纷进军先进制程工艺,而格芯自2018年8月起,宣布无限期搁置7nm以下技术研发。

株洲中车8英寸SiC产线年底通线

日前,株洲中车董事长、执行董事李东林在投资者活动中透露,株洲三期于2024年11月份启动建设,2025年5月主体厂房封顶,预计2025年下半年启动设备搬入,2025年底有望实现产线拉通,该项目为8英寸SiC晶圆。