韩美半导体将扩建HBM的TC粘合机生产线
据韩媒报道，近日，韩美半导体宣布将以约1.5亿美元收购仁川西区朱安国家工业园区的全部土地和建筑物，其目的是扩建HBM生产所需的TC粘合机生产线。
美光收购友达台南厂房，用于前段晶圆测试
8月27日，友达光电发布公告称，为聚焦营运策略，活化资产及优化财务结构，将位于台南市安南区科工段的土地和坪建物卖予美光，总金额74亿元新台币（约合人民币16.51亿元）。
研究人员在自旋电子器件制造工艺方面获新突破，或成半导体芯片行业新标准
近日，美国明尼苏达大学的研究人员与国家标准与技术研究院 (NIST) 的联合团队一起开发了一种制造自旋电子器件的突破性工艺，该工艺有可能成为半导体芯片新的行业标准。半导体芯片是计算机、智能手机和许多其他电子产品的核心部件，新工艺将带来更快、更高效的自旋电子设备，并且使这些设备比以往更小
2026迎新局 | 思锐智能双机成功交付，以开门红之势启国产替代新征程
2026年新岁启封，青岛思锐智能科技股份有限公司（下称“思锐智能”）迎来开门红。
南京江北新区高质量建设EDA创新生态启动
4月12日，在集成电路EDA创新生态发展高峰论坛现场，江北新区举行了高质量建设EDA创新生态启动仪式
佰维存储：正加紧惠州封测制造中心的产能扩建
10月21日，佰维存储在投资者互动平台表示，公司的晶圆级先进封测项目正处于投产准备过程中，项目建设完成后将进一步提升公司在存算整合领域的核心竞争力。
美国芯片法案补贴密集砸向先进封装
美国芯片法案的拨款正在持续推进，而最近的焦点是拟对安靠（Amkor）直接资助多至4亿美元，以支持全美最大封装设施建设。该工厂预计将采用2.5D和3D封装技术，聚焦自动驾驶汽车、5G/6G智能手机和大型数据中心客户，并有望与台积电、苹果等形成共振。
总规模500亿元！江苏省战略性新兴产业母基金首个投资项目落地
据新华日报消息，11月11日，江苏省战略性新兴产业母基金首批产业专项基金对首个直投项目——南京埃斯顿酷卓科技有限公司完成投资协议签署。
1-3月中国芯片：进口量下滑22.9%，出口量下滑13.5%
据海关总署公布的数据显示，1 月至 3 月，中国进口集成电路总量 1082 亿件，同比下降 22.9%
信越化学计划在日本新建半导体材料工厂
信越化学将在日本国内兴建一座全新的工厂，将投资约800亿日圆在群马县伊势崎市开工建设，预计于2026年完工，主要生产半导体材料光阻剂。
日月光半导体开设美国第二厂区，扩大测试服务
近日，日月光投控旗下日月光半导体（ISE Labs）宣布于加州圣荷西开设第二个美国厂区。弗里蒙特厂区与圣荷西厂区运营总面积超过15万平方英尺（约1.39万平方米），将进一步扩大日月光的供应服务能力。
上海合晶：预计硅外延片明年二季度后需求逐步恢复 推进12英寸55纳米CIS外延量产|直击业绩会
今年以来，上海合晶业绩表现不佳。前三季度，该公司实现营收8.45亿元，同比下降21.31%；毛利率降至28.75%；归母净利润同比大幅下滑63.13%至7887.49万元；扣非归母净利润同比下滑62.28%至6935.53万元。
SK会长会见台积电魏哲家，探讨AI芯片合作
据报道，6月6日，SK集团会长崔泰源（Choi Tae-won）会见台积电新任董事长魏哲家，并决定进一步加强两家公司的合作，以增强AI半导体的竞争力。
SK海力士大幅扩产第5代1b DRAM 以应对HBM及DDR5需求增加
据业内人士透露，SK海力士正在扩产其第5代1b DRAM，以应对HBM及DDR5 DRAM需求增加。
武汉光谷实验室突破成像芯片新技术
据消息，日前，光谷实验室宣布，其联合华中科技大学、武汉光电国家研究中心等相关机构研发的胶体量子点成像芯片已实现短波红外成像。
台积电：各厂区完成震后检查，已逐步回线
据央视新闻报道，1月21日0时17分在台湾台南市发生6.2级地震，震源深度14公里。1月21日8时50分，台南市楠西区再次发生4.2级地震，震源深度9.5公里，属于极浅层地震，最大震度台南3级。
民德电子拟参与浙江广芯微电子4.9180%股权转让竞拍
11月14日，民德电子发布公告称，公司拟使用自有/自筹资金参与竞拍丽水市绿色产业发展基金有限公司(简称“丽水绿色基金”)持有的浙江广芯微电子有限公司(简称“广芯微电子”)4.9180%的股权，起拍底价3550万元。
清华大学团队研制感存算一体化光电忆阻器阵列
据清华大学官网消息，目前，视觉感内计算研究尚处于起步阶段，在硬件层面，当前研究大多聚焦于单个光电感存算一体化器件，缺少将大规模阵列与硅CMOS电路有效集成的方案；在算法架构层面，当前演示的感内计算功能较为单一，难以支撑复杂视觉信息处理任务。
SK海力士开始量产全球最高的321层NAND闪存
SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）21日宣布，开始量产全球最高的321层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）* 4D NAND闪存。
