年产36万片碳化硅晶圆!长飞先进武汉基地封顶

6月18日,年产36万片碳化硅晶圆的长飞先进武汉基地主体结构封顶。该基地是武汉新城诞生的第一个项目,主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产,致力于打造一个集芯片设计、制造及先进技术研发于一体的现代化半导体制造基地。

英特尔德国晶圆厂量产时间或推迟至2030年

据媒体报道,英特尔此前在德国马格德堡投资300亿欧元(约合人民币2364.45亿元)的晶圆厂建设项目,原定于2023年下半年开工建设Fab 29.1和Fab 29.2两座工厂。但目前受诸多因素影响,近日有消息称开工时间再延后,意味着量产时间或将推迟至2030年。

存储厂商逐鹿HBM3E市场

近日,韩国媒体报道称,三星或将向英伟达独家供应12层HBM3E。报道指出,英伟达最快将从9月开始大量购买三星电子的12层HBM3E,后者将向英伟达独家供应12层HBM3E。

英诺达携手清华大学,共推国产EDA发展

据英诺达官微消息,近日,英诺达与清华大学携手,共同推进产学研的深度融合。针对集成电路低功耗设计这一课题,英诺达的团队在清华大学集成电路学院的课堂上与师生们展开了专题授课与深入交流。

格芯起诉IBM!传:2nm泄密日本

4月19日,美国半导体代工大公司格罗方德(简称格芯)宣布起诉IBM非法使用知识产权和商业机密。格芯于2015年收购了IBM的半导体部门,但IBM此后将先进的2nm技术泄密给了日本高端芯片企业Rapidus和美国英特尔

SK海力士将在HBM生产中采用混合键合技术

据消息,SK海力士计划于2026年在其HBM生产中采用混合键合,目前半导体封装公司Genesem已提供两台下一代混合键合设备安装在SK海力士的试验工厂,用于测试混合键合工艺。混合键合取消了铜焊盘之间使用的凸块和铜柱,并直接键合焊盘,这意味着芯片制造商可以装入更多芯片进行堆叠,并增加带宽​

凯世通收获重点晶圆厂客户多台重复订单

6月5日,上海凯世通半导体宣布,近日公司再次获得一家12吋主流晶圆厂客户的低能大束流离子注入机复购订单。该重点客户自去年一季度起已多次向凯世通采购设备,累计下单总数超过10台。

天岳先进成功交付P型SiC衬底

据天岳先进官微消息,近日,天岳先进向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底,标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程,实现高端特高压功率器件国产化。