PI官宣收购Odyssey半导体资产

自Power Integrations (PI) 官网获悉,5月7日,PI宣布收购垂直氮化镓(GaN)晶体管技术开发商奥德赛半导体技术公司(Odyssey)的资产。

三星计划到2030年推出1000层3D NAND新材料

据消息,三星电子正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料,并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。如果上述材料研发顺利,将能够在特定条件下表现出铁电性,有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜,提升芯片耐用与稳定度。三星高层预期,3D NAND大约在2030年有望向上堆叠超1000层。​

艾佛光通项目1号厂房封顶

据广州市科技局官微消息,日前,艾佛光通项目1号厂房主体结构顺利封顶正式进入装饰及机电安装阶段,标志着广州5G芯片产业的又一重大进展。

华虹集团换帅,联和投资原董事长接任

12月20日,上海市人民政府印发一项职务任免通知。显示免去张素心的上海华虹(集团)有限公司(下称“华虹集团”)董事长职务,并由秦健担任华虹集团新一任董事长。

消息称三星下代400+层 V-NAND 2026年推出

据韩媒报道,根据其掌握的三星半导体存储路线图,三星电子将于2026年推出的下代 V-NAND 堆叠层数超过400,而预计于2027年推出的 0a nm DRAM 则将采用 VCT 结构。