三星计划到2030年推出1000层3D NAND新材料

据消息,三星电子正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料,并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。如果上述材料研发顺利,将能够在特定条件下表现出铁电性,有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜,提升芯片耐用与稳定度。三星高层预期,3D NAND大约在2030年有望向上堆叠超1000层。​

2025慕尼黑上海电子展揭示技术密码:机器人行业蓬勃发展,半导体“芯脏”如何给予支撑?

随着宇树人形机器人在今年春晚的一舞,给机器人领域的发展再添一把火。在过去十年间,中国工业机器人安装量的全球占比已经从约五分之一提升至超过全球总需求的一半。中国本土机器人制造商也已显著扩大了国内市场份额:本地供应商在中国工业机器人年安装量中的占比从2020年的30%提升至2023年的47%。

南通越亚FCBGA封装载板生产制造项目(二期)即将封顶

据报道,目前,南通越亚半导体有限公司FCBGA封装载板生产制造项目(二期)工程正在如火如荼地建设中。相关负责人透露,预计项目今年7月底开始封顶,最终会在9月底结束。建成后将推动崇川区集成电路产业结构进一步优化、能级进一步提升。

紫光集团更名“新紫光” 将加大硬科技布局

今日上午举行的2024(第十六届)半导体市场年会上,紫光集团宣布正式更名为“新紫光集团”。新紫光集团联席总裁陈杰表示,新紫光将通过加大研发投入和聚集优秀人才在多个硬科技领域进行布局。例如将探索新型的“存算-算网”一体化架构,打造满足下一代智算中心的集群解决方案;聚焦第二代III-V族化合物半导体、碳纳米管、3D堆叠、异质集成、Chiplet封装等前沿研究,推动先进工艺加速突破。

科友半导体碳化硅晶体厚度突破80mm

5月29日,科友半导体碳化硅晶体生长车间传来捷报,自主研发的电阻长晶炉再次实现突破,成功制备出多颗中心厚度超过80mm,薄点厚度超过60mm的导电型6英寸碳化硅单晶。

韩国2月半导体出口额下降 41.5%

3 月 14 日,韩国科技部今日公布了其 2 月份 ICT 出口统计数据。据悉,韩国 ICT(信息和通信技术)上个月出口额仅有 128.2 亿美元(备注:当前约 879.45 亿元人民币),同比下降 32.0%,这已经是 ICT 出口连续八个月持续下滑