索尼半导体CIS出货量超200亿颗，正建设新工厂
据日媒报道，近日，索尼半导体制造公司总裁山口义博在受访时表示，索尼半导体制造公司迄今已出货了超过200亿个图像传感器，并且正在日本熊本县建设一家新工厂，所以公司没有放慢发展速度的计划。
赛微电子拟参股光刻机公司芯东来
11月18日，赛微电子发布公告称，北京赛微电子股份有限公司拟以不超过6,000万元交易总价款购买芯东来部分股权。
摩尔线程拟募资80亿元投资多个芯片研发项目，IPO已获受理
自上交所官网获悉，6月30日，摩尔线程智能科技（北京）股份有限公司（以下简称“摩尔线程”）科创板IPO获得受理，保荐机构为中信证券。
村田中国亮相2025开放数据中心大会：技术创新赋能数据中心发展
由开放数据中心委员会(ODCC)主办的“2025开放数据中心大会”将于9月9日至11日于北京国际会议中心召开，本届大会将以“拥抱AI变革，点燃算网引擎”为题，齐聚算力产业头部玩家共话行业未来。
华鑫微纳8英寸晶圆生产线项目
近日，总投资50.6亿的安徽华鑫微纳集成电路有限公司8英寸MEMS晶圆生产线项目迎来最新进展。目前项目处于主要产品的工艺串线阶段，预计6月底完成。
全芯微DFN QFN封装项目签约广东罗定
据消息，6月17日，罗定市人民政府与深圳卓锐思创科技有限公司举行全芯微DFN QFN封装项目签约仪式。
弘蓝半导体基金成立，专注投资射频领域
据东海投资官微消息，东海投资有限责任公司与常州市天宁产业升级投资合伙企业（有限合伙）共同设立常州天宁东海弘蓝创业投资合伙企业（有限合伙），专注投资半导体产业射频领域。
概伦电子：拟购买锐成芯微100%股权及纳能微45.64%股权
据消息，4月12日，概伦电子发布公告称，公司拟通过发行股份及支付现金的方式取得锐成芯微100%股权及纳能微45.64%股权，并募集配套资金。本次交易完成后，锐成芯微与纳能微均将成为概伦电子的全资子公司。
九峰山实验室首发6英寸InP激光器与探测器外延工艺
据九峰山实验室官微消息，近日，九峰山实验室在磷化铟（InP）材料领域取得重要技术突破，成功开发出6英寸磷化铟（InP）基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺，关键性能指标达到国际领先水平。
晶盛机电成功研发12英寸导电型SiC晶体
日前，晶盛机电子公司浙江晶瑞电子材料有限公司实现12英寸导电型碳化硅（SiC）单晶生长技术突破，首颗12英寸SiC晶体成功出炉——晶体直径达到309mm，质量完好。
芯迈半导体向港交所递交上市申请
芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司于6月30日向香港交易所递交了上市申请，成为近期在港交所寻求上市的又一科技企业。
规模百亿，诚通科创（江苏）基金设立
据诚通科创官微消息，7月11日，中国诚通与江苏省人民政府在南京签署框架合作协议，共同推动设立规模100亿元的诚通科创（江苏）基金。同时，诚通科创（北京）基金拟落地江苏的2只子基金相关框架协议也同步签约。
华海清科：“集成电路化学机械抛光关键技术与装备”项目荣获国家技术发明奖一等奖
据消息，华海清科公告，公司和清华大学共同完成的“集成电路化学机械抛光关键技术与装备”项目荣获2023年度国家技术发明奖一等奖。公司董事长、首席科学家路新春作为项目第一完成人获得一等奖证书。
联电与英特尔合作开发12nm制程，预计2027年量产
据报道，在5月28日举行的联电（UMC）年度股东大会，联电首席财务官刘启东指出，与处理器大厂英特尔合作的12nm节点制程，为联电最重要的发展计划之一，预计量产的时间点将会落在2027年。
三星计划在下一代DRAM工艺引入VCT技术
据韩媒报道，三星电子已明确将在第七代10nm级DRAM内存工艺（1d nm）后导入垂直通道晶体管（VCT）技术，相关产品预计2至3年内问世。
鸿海砸近17亿新台币取得得州2厂使用权扩AI服务器产能
鸿海代子公司Foxconn Assembly LLC.公告，取得美国得州休斯顿2座厂房租赁使用权，合约租金总额约5655.38万美元（约新台币16.98亿元），市场解读鸿海此次投资持续在得州扩充人工智能（AI）服务器产线，服务北美客户。
韩国拟投资千亿组建新晶圆代工厂KSMC
据韩媒报道，韩国政府可能将考虑创建一家由政府资助的晶圆代工厂商，暂定名为韩国半导体制造公司 （KSMC）。
NEO Semiconductor推出全球首款X-HBM架构
自NEO Semiconductor官网获悉，日前，NEO Semiconductor宣布推出全球首个用于人工智能芯片的超高带宽内存 (X-HBM) 架构。
