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IC-SRDI2026:凯盛科技：拟投资150000000元建设TGV先进封装玻璃中试线

IC-SRDI2026:凯盛科技：拟投资150000000元建设TGV先进封装玻璃中试线

7月27日，凯盛科技(600552.SH)公告称，公司自2024年启动TGV先进封装玻璃通孔及金属填充关键技术研发工作，在前期研发的基础上，为推进相关工艺技术产业化落地，公司拟在蚌埠市高新区超薄柔性电子玻璃(UTG)二期项目厂区内，建设TGV先进封装玻璃中试线，开展关键工艺优化研发，推进产品试制、客户验证等相关工作。本中试线计划总投资约1.5亿元。2026年9月3日至6日，第二十一届中国国际中小企
芯闻快讯 2026年07月28日
慕尼黑上海电子展揭示电子行业未来重要主线：从芯片性能迈向系统整合

慕尼黑上海电子展揭示电子行业未来重要主线：从芯片性能迈向系统整合

本届展会汇聚的不仅是意法半导体、安森美、恩智浦，Analog Devices、英飞凌、德州仪器等其他国际巨头也悉数参展。同样，展会上也集聚了大量中国本土半导体企业，国内明星企业圣邦股份、力芯微、极海半导体、灿瑞科技、芯旺微、中科芯、华冠半导体等企业均将亮相，覆盖模拟芯片、功率半导体、MCU、传感器和汽车电子等多个方向。
产业项目 2026年06月23日
IC-SRDI2026：联电新加坡厂启动12英寸硅光芯片生产

IC-SRDI2026：联电新加坡厂启动12英寸硅光芯片生产

中国台湾第二大晶圆代工厂联电已在新加坡开始生产先进光子芯片，以满足人工智能数据中心对高速互连日益增长的需求。联电高级副总经理洪圭钧（G.C. Hung）表示，硅光子和共封装光学技术将成为公司未来数年的重要增长动力。其中一项关键进展，是将光子芯片生产从传统8英寸晶圆转向更先进的12英寸晶圆。他表示，采用更先进的制造设备和工艺，可以降低光学损耗，同时提升功率效率和性能。新加坡光子芯片开发商Silith
芯闻快讯 2026年07月14日
IC-SRDI2026：半年顶全年、利润翻五倍：SK海力士交出“强悍业绩”

IC-SRDI2026：半年顶全年、利润翻五倍：SK海力士交出“强悍业绩”

7月29日，SK海力士交出了一份让所有人既惊叹又困惑的成绩单。惊叹的是数字本身——公司2026财年第二季度营业收入79.32万亿韩元，营业利润60.54万亿韩元，净利润93.92万亿韩元；2026财年第二季度营业利润率为76%，净利润率为118%(K-IFRS为准)。其多项指标刷新其单季历史纪录的同时，市场却给出了截然相反的回应。财报公布后，SK海力士ADR盘后一度大跌超8%。这背后，或许是一个关
芯闻快讯 2026年07月29日
从高性能ADC到完整信号链方案， 士模微电子以自主创新服务中国智造升级

从高性能ADC到完整信号链方案， 士模微电子以自主创新服务中国智造升级

在工业自动化、能源电力、轨道交通和高端装备持续升级的背景下，中国制造对模拟芯片的要求已经不再是有没有，而是能不能稳定地高性能运行，以及可靠的本土流片供货能力。长期以来，国内高端装备在高性能ADC、DAC等核心模拟器件上依赖进口，不仅面临成本高还有供货不稳等问题。作为国内极少数覆盖信号链七大产品线、具备全品类架构自主定义能力的高端模拟信号链企业，北京士模微电子有限责任公司正是在这一产业背景下，以全正
芯闻快讯 2026年07月13日
IC-SRDI2026:总投资 39.9 亿元！江苏富贝微射频滤波器芯片基地落子天宁

IC-SRDI2026:总投资 39.9 亿元！江苏富贝微射频滤波器芯片基地落子天宁

8 月 31 日上午，射频滤波器芯片研发生产基地项目与常州天宁未来科技产业创新中心项目签约仪式，在常州市天宁区科促中心顺利举办。天宁区委书记张凯奇，区委副书记、区长李皓等地方领导出席本次签约活动。射频滤波器芯片研发生产基地项目由江苏富贝微电科技发展有限公司主导实施，项目总投资39.9 亿元，采取分期建设模式：一期投资 26 亿元，规划用地 100 亩；二期投资 13.9 亿元。项目将建设射频芯片生
芯闻快讯 2026年09月01日
IC-SRDI2026：AI芯片“最后一段距离”，硅光子来了

IC-SRDI2026：AI芯片“最后一段距离”，硅光子来了

随着AI基础设施持续扩张，芯片系统对数据传输速度、能耗和带宽的要求越来越高。光子学正在从数据中心之间、机架之间，进一步走向封装内部乃至芯片内部。相比“能不能做”，行业现在更关心的是：如何以可控成本、可预测良率和可量产工艺，把光子器件真正集成进先进半导体系统。过去多年，光互连已经能够承担远距离的大规模数据传输。但最困难的一步始终是“最后一段距离”：让光学器件足够靠近计算引擎，减少高速电信号在电路板上
芯闻快讯 2026年07月14日
IC-SRDI2026:玻璃基板第一性原理分析：多层石英玻璃堆叠实现 Glass Core Substrate 的最优路径

IC-SRDI2026:玻璃基板第一性原理分析：多层石英玻璃堆叠实现 Glass Core Substrate 的最优路径

2026年9月5日，下午由未来半导体主办的CoWoP-CoPoP-碳化硅玻璃基板技术公益论坛将于广州中国进出口商品交易会展馆D区会场-【创芯讲坛】如期开启，观众免费报名参会，助推先进封装从晶圆到晶方的系统级重构！本场论坛将在业内首次以公益论坛形式，为业内普及面板级封装的终极技术案例-CoPoP，以全玻璃面板级堆叠构建芯片上玻璃中介层上玻璃PCB的极简架构。玻芯成（重庆）半导体科技有限公司总经理徐洪
芯闻快讯 2026年08月28日
ICEPT2026:从高性能ADC到完整信号链方案， 士模微电子以自主创新服务中国智造升级

ICEPT2026:从高性能ADC到完整信号链方案， 士模微电子以自主创新服务中国智造升级

在工业自动化、能源电力、轨道交通和高端装备持续升级的背景下，中国制造对模拟芯片的要求已经不再是有没有，而是能不能稳定地高性能运行，以及可靠的本土流片供货能力。长期以来，国内高端装备在高性能ADC、DAC等核心模拟器件上依赖进口，不仅面临成本高还有供货不稳等问题。
芯闻快讯 2026年07月06日
IC-SRDI2026:消息称韩国海成DS向长鑫存储供应DDR5封装基板

IC-SRDI2026:消息称韩国海成DS向长鑫存储供应DDR5封装基板

韩国半导体材料与组件制造商海成DS（Haesung DS）据悉已将长鑫存储纳入DDR5封装基板客户名单，并计划随着DDR5业务扩大，进一步评估面向DDR6高层数产品的面板式生产方案。消息称，海成DS于2026年第一季度通过长鑫存储的DDR5封装基板认证测试，第二季度已开始小规模供货并贡献营收，预计2027年供应量将进一步扩大。不过，双方目前均未公开确认这一合作关系。长鑫存储正持续扩充DDR5和LP
芯闻快讯 2026年07月22日
IC-SRDI2026：中国国产AI芯片今年国内市场份额有望接近90%

IC-SRDI2026：中国国产AI芯片今年国内市场份额有望接近90%

市场研究机构TrendForce发布的报告显示，2026年中国高端AI芯片市场中，中国国产解决方案的市场份额将接近90%，留给英伟达、AMD等海外方案的市场空间可能只剩一成左右。投行Bernstein同样预测，英伟达在中国AI半导体市场的市场份额可能从2025年的约40%下降到2026年的8%左右，华为可能超过50%。据观察者网11日报道，TrendForce认为，随着AI基础设施向大规模集群和机
芯闻快讯 2026年08月12日
李宁成杯：先进封装如何在低温低热阻低成本中集成钻石？

李宁成杯：先进封装如何在低温低热阻低成本中集成钻石？

近日，英特尔CEO宣称已完成新材料投资布局，包括：EMIB、玻璃基板、以及氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、磷化铟（InP）和人工合成钻石等新材料领域，以应对传统工艺节点微缩趋近物理极限的挑战。2.5D芯片组封装正成为高性能AI系统的关键，但封装密度和功率密度的上升正在形成新的热墙。热点热通量可达到千瓦/平方厘米水平，而高热通量还会加剧小芯片变形，威胁机械可靠性。钻石为其超高导热率（高达2200
芯闻快讯 2026年07月01日
IC-SRDI2026:台积电1.4nm新厂进度超前 明年4月首座厂房完工

IC-SRDI2026:台积电1.4nm新厂进度超前 明年4月首座厂房完工

台积电中科台中二期园区1.4nm先进制程新厂加速兴建，第一座厂房预计明年4月前完工，最快明年第三季初进入试产阶段。据了解，位于中科台中二期园区的新厂基地代号“晶圆25厂”，规划设立四座厂房，目前前二座已完成发包，由达欣工程、互助营造得标，已进入钢构施工阶段。若建厂工程持续按目前进度推进，第一座厂房有望2028年中正式量产。A14（1.4nm）制程是台积电下一代全节点先进硅技术，采用第二代GAA（环
芯闻快讯 2026年07月31日
IC-SRDI2026：【落户】投资30亿！江苏半导体项目签约落户

IC-SRDI2026：【落户】投资30亿！江苏半导体项目签约落户

7月24日，总投资30亿元的特色功率半导体芯片生产线项目签约落户常州市天宁区。据悉，该项目由江苏烨创微电子有限公司联合产业链上下游企业，共同在天宁经开区新建特色功率半导体芯片生产线。项目总投资30亿元，分两期建设。即将启动建设的一期项目用地100亩，主要建设6英寸特色工艺生产线，建成达产后可实现年综合产能140万片以上；二期将建设8英寸生产线。2026年9月3日至6日，第二十一届中国国际中小企业博
芯闻快讯 2026年07月28日
IC-SRDI2026:三星涨价15%反超台积电：AI浪潮重写晶圆代工定价权

IC-SRDI2026:三星涨价15%反超台积电：AI浪潮重写晶圆代工定价权

核心观点1、涨价幅度反超台积电，定价权从“制程追赶者”转向“产能稀缺方”。三星此次先进制程涨价最高达15%，而台积电同期对核心客户的调价区间仅为5%至10%。当产能成为硬约束，报价能力不再取决于良率差距，而取决于谁有产线可以交付——三星4nm产线满载至2027年，涨价反而成为筛选客户的工具。2、AI投资扩张彻底改写代工定价逻辑，行业从“需求驱动”进入“供应驱动”模式。过去，芯片厂商基于市场预判提前
芯闻快讯 2026年08月20日
IC-SRDI2026:应用材料CEO表示芯片设备需求可见度已达2030年

IC-SRDI2026:应用材料CEO表示芯片设备需求可见度已达2030年

据报道，应用材料CEO Gary Dickerson表示，为确保产能扩张顺利推进，芯片制造商正向设备供应商分享未来两年甚至更长时间的设备需求展望。这一信号显示，由人工智能投资热潮推动的半导体资本开支周期，持续时间可能长于外界此前预期。Dickerson表示，作为美国最大的芯片设备制造商，应用材料对未来两年的需求已有“极为清晰”的判断，部分客户甚至已经向公司提供截至2030年的方向性展望。“我们最大
芯闻快讯 2026年07月09日
ICEPT2026:北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心在IEEE ISPSD 2026发表3项宽禁带半导体功率器件重要技术进展

ICEPT2026:北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心在IEEE ISPSD 2026发表3项宽禁带半导体功率器件重要技术进展

近日，功率半导体器件领域的顶级会议IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 在美国拉斯维加斯举行。北京大学集成电路学院三篇高水平论文入选，向国际功率器件与功率集成电路领域的同行展示了北京大学最新的研究成果，研究内容涉及GaN HEMT器件栅极可靠性、超高压GaN横向整流器、以及集成型GaN
芯闻快讯 2026年07月06日
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