2026 年 5 月 29 日下午，iTGV 2026 国际玻璃通孔技术创新与应用论坛的核心应用论坛——国际光电合封技术交流会议（iCPO 2026） 在无锡国际会展中心顺利举办。会议由中科院微电子所、未来半导体主办，上海交通大学无锡光子芯片研究院、图灵量子联合主办，IEEE-EPS 广州 / 北京 / 上海分会承办。
iCPO2026论坛聚焦CPO、NPO 光互联、光电协同、玻璃基板与 TGV、硅光、薄膜铌酸锂、高密度封装可靠性、EDA 仿真等核心前沿议题，汇聚国内顶尖高校、科研院所、头部企业技术专家，从产业趋势、技术路径、工艺实现、材料设备、可靠性仿真、工程落地等多维度，深度探讨光电合封产业现状、技术瓶颈与未来发展方向，完整呈现国内 CPO/NPO、玻璃基光电封装、光互联全产业链最新研发进展与产业化思路。
上海交通大学教授、中关村光电子集成产业联盟副秘书长陈建平教授为大会致辞指出，人工智能与智算中心高速发展，对高性能光互联架构提出颠覆性需求，光电合封 CPO/NPO 成为突破算力传输带宽、功耗瓶颈、夯实数字经济算力底座的核心关键技术。光电子产业是国家科技自立自强、产业链供应链安全的核心战略领域，当前国内光电子技术与产业正处在重大机遇窗口期。
中关村光电子集成产业由祝宁华院士于 2023 年倡导成立，秉持开放融合、自强创新、协同联动理念，致力于搭建全国性产学研交流平台，推动技术攻关、成果转化与产业生态完善。陈建平预祝本次 iCPO 大会圆满成功，期待行业同仁深化交流、协同共建光电合封产业新生态。
OIP 科技 CEO靳永刚《板基扇光电共封技术》围绕 AI 时代两大产业瓶颈信号传输带宽不足、数据中心能耗过高，系统阐述板基扇出封装在 CPO 领域的创新应用与技术优势。他介绍，扇出封装分为晶圆级与板级两大路线，板级可采用 310/700mm 等大尺寸面板，相比传统晶圆级与 BGA 封装，具备芯片与封装独立设计、无需传统基板、成本更低、设计灵活的突出优势，可有效缓解当前高端基板供货短缺、交期过长的行业痛点。
扇出技术历经单边 RDL、3D 堆叠替代 TSV 多代演进，OIP 基于一二代扇出技术，开发2D/3D 光电共封架构，可实现光芯片与电芯片二维集成、三维对焦堆叠；支持多颗氮化硅芯片高功率合封，可量产0.1 毫米级超薄光电模组，适配 AI 眼镜、MicroLED、激光发射器等消费级与光通信场景。
在性能对比上，扇出封装相较传统 BGA 可电阻降低 90%、电感降低 60%，塑封材料高阻抗特性使单通道速率可达 330G，四通道即可实现 3.2T 超高带宽；封装翘曲度远低于 BGA，热形变小、光损耗控制更优。同时开发双面曝光、背金属加厚工艺，兼顾垂直互联与芯片散热难题，解决光芯片高热痛点；在光耦合层面实现顶部开窗、侧边开窗、集成镜片多方案，适配激光雷达、MicroLED 阵列、低轨卫星光伏 3D 堆叠等场景，3D 堆叠架构可将光伏系统功耗损耗从 30% 降至 10% 以内，在低轨卫星大功率应用中价值突出。
中兴通讯CPO预研总工汤宁峰带来《智算中心光互连可持续演进路径探讨及产业展望》从需求驱动、行业进展、关键技术与玻璃基机遇三大维度，研判未来十年光互连可持续发展逻辑。他提出，摩尔定律仍将持续推进交换芯片迭代，51.2G、102.4G 速率持续升级，光互连带宽需求增速远超摩尔定律本身；算力网络分为 Scale Up 与 Scale Out 架构，网络时延与带宽已成为 GPU 算力释放核心瓶颈，英伟达 NVLink 生态演进中算力增幅远超硬件迭代，本质受互联能力制约。
行业已形成微环调制、多波长、偏振管理主流技术路线，800G/1.6T 单纤演进路径明确，OCR 产业联盟达成 Slow and Wide 发展共识，微环技术成为可持续光互联核心载体。工程层面，微环温度敏感、波长对齐等核心难题已实现突破，英伟达与台积电深度绑定形成产业新范式，三星 2028—2029 年将推出自研 CPO 交换方案，行业入局加速、产能竞争格局重塑。
重点分析玻璃基相比硅基的天然优势：玻璃介电常数与损耗因子更低，信号传输损耗小、传输距离更长，可放宽信号完整性设计门槛；无需复杂 3D 堆叠，可用 2.5D 架构替代实现同等性能，耦合方式更灵活，可规避台积电专利壁垒。对于国内产业而言，在先进制程受限背景下，玻璃基光电封装是实现弯道超车的重要路径，玻璃 Interposer 与玻璃基板两大方向具备重大产业化机遇。
武汉飞思灵微电子技术有限公司光电器件专家曹权分享《NPO/CPO 演进路径下高效光互联的探索与实践》立足产业落地视角，梳理Platable→LPO→NPO→CPO技术演进逻辑，明确国内产业更适配 NPO 优先、CPO 远期落地的发展格局。
他认为，AI 大模型带动Token 使用量百倍增长，光互联迎来长期高景气；在 200G 及以上高速场景，传统可插拔模块架构瓶颈凸显，NPO 与 CPO 成为必然选择。从技术特性看，Platable 到 NPO 已实现功耗与性能最大跃迁，NPO 到 CPO 增益递减，但会牺牲可维护性、增加热管理与可靠性风险；NPO 属于解耦架构、良率为加法逻辑，CPO 是强耦合、良率乘法逻辑，工程落地难度差距显著。
从产业格局看，海外巨头偏向 CPO 路线，国内更倾向 NPO 主导、兼顾 XPO 多元路径，核心是掌握系统架构定义与产业链主导权。他强调，CPO/NPO 绝非单纯芯片与封装叠加，而是整机系统架构重构，需从 ASIC、光引擎、PCB、热管理、链路控制全链路协同设计。
工程实践中，单波 100G 已面临多通道串扰、器件一致性、测试定位等多重难题，单波 200G 工艺与架构仍在探索；微环调制具备面积与功耗优势，但工艺成熟度仍需提升。同时指出玻璃基板是 200G 及以上高速封装的重要备选方案，但仍需解决工艺适配、CTE 匹配、量产良率等工程问题，光电合封必须走芯片、封装、测试、系统全产业链协同路线。
新思科技应用工程主管周铮带来《从芯片到系统：面向高性能电光设计的协同仿真》。从EDA 工具视角，针对 CPO/EIC+PIC 电光一体化设计痛点，推出全流程协同仿真解决方案。他指出，CPO 面临光学 IO 耦合、热串扰、电光协同失效、系统级仿真缺失等多重挑战，传统光电分离仿真模式精度不足，无法匹配先进封装设计需求。新思基于 Synthesis 平台，构建从器件设计→PIC 版图→电光仿真→DRC/LVS 校验→系统级建模全流程工具链。
在器件层，实现硅光波导、耦合器、微环等无源 / 有源器件版图与仿真无缝对接，解决 GDS 参数丢失、仿真与版图不匹配问题；在 PIC 设计层，支持多 Foundry PDK 导入，可完成原理图搭建、光信号时域仿真与眼图分析；创新推出Photonics Verilog-A 模型编译技术，实现光电一体化联合仿真，打破光电工具壁垒。
针对系统级仿真痛点，首创 IBCMI 建模方法，通过机器学习对光子系统降阶，实现光链路模型嵌入电学仿真平台，兼顾仿真精度与速度，完美匹配微环非线性特性仿真需求。整套方案覆盖从芯片器件、光电集成到整机系统全链路，可提前规避设计缺陷良率风险，为 CPO/NPO 电光设计提供标准化 EDA 支撑。
工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术实验室先进封装与微系统可靠性技术总师杨晓锋带来《高频高速光电共封模块多场耦合可靠性问题与失效机理研究》聚焦光电共封可靠性与失效机理，从多场耦合、失效模式、建模仿真、正向设计四大维度展开深度分析。
他表示，光电共封装是后摩尔时代突破制程限制、实现算力小型化的核心路径，但高功耗、高密度封装带来热、应力、振动、湿温度多场耦合失效难题。光电共封装分为 2D、2.5D、3D 三类集成架构，内部材料体系复杂、尺寸跨度大，失效模式呈现多机理竞争耦合特征，单一测试无法还原真实退化过程。
他团队通过实验表征与仿真建模，拆解三大核心失效薄弱点：一是光纤与光芯片耦合位易出现温变错位、信号损耗；二是光芯片粘接层受 CTE 失配引发分层开裂；三是电芯片微凸点在热循环下易疲劳失效。通过 AFM 微观表征、红外热成像、应力仿真，建立温度→折射率→光损耗、应力→形变→耦合偏移物理退化模型。
同时构建材料参数库、热仿真模型、应力仿真模型，可精准预测十年服役周期内性能退化规律，支撑封装结构正向优化。研究明确光电共封可靠性核心在于材料匹配、结构应力释放、耦合位加固，为军用高端装备与民用算力产品的长期可靠性评估、标准化测试提供理论与数据支撑。
上海图灵智算量子科技有限公司高级产品总监杨志伟《基于飞秒激光直写和铌酸锂技术的玻璃基 CPO》从AI 算力演进、光互联迭代、玻璃基 CPO 落地三大方向展开分享。他指出，传统摩尔定律边际递减，先进制程成本攀升、HBM 堆叠散热成本暴涨，华为 “韬定律” 提出以架构缩短路径、以封装提升性能，光互联成为破解带宽与功耗瓶颈的唯一路径。光互联已从芯片间互联演进至机柜、集群全域互联，技术路线涵盖 LPO→NPO→CPO→OIO 全链路升级。
在光芯片材料迭代上，硅光当前主流但单波速率接近极限，薄膜铌酸锂（LNOI） 具备超高带宽、低差损优势，单波可突破 400G，是下一代光互联核心材料；未来将走向硅光 + 铌酸锂异质集成路线。
在算力集群架构上，英伟达 NVLink、NVSwitch、RB 三大技术重构光互联格局，从铜互联全面转向 CPO 可大幅减少光模块数量、降低时延与功耗；OCS 全光交换、波长路由已在谷歌、超算集群规模化应用。
图灵智算依托飞秒激光直写、薄膜铌酸锂两大核心技术，布局玻璃基 CPO：利用飞秒激光制备三维光波导，损耗低、集成密度较传统方案提升 50 倍；掌握 6—8 英寸铌酸锂量产能力，可支撑高速光调制器、探测器量产。同时布局量子计算、光通信、CPO 封装全产业链，倡导以玻璃基板 + TGV + 铌酸锂光芯片为底座，重构国产光互联生态，实现换道领跑。
江苏中科智芯技术总监李更带来《玻璃基板在 CPO 封装中的应用与挑战》系统剖析玻璃基板在 CPO 中的核心价值、应用方案与产业瓶颈。他指出，当前数据中心传统可插拔架构存在扇出密度受限、长距离损耗大、光模块结构复杂、速率天花板低四大痛点，CPO 通过光引擎与交换芯片共封，可实现功耗降低 50%、延时大幅缩减、集成密度飙升。XPO 超密集可插拔成为过渡主流，单模块带宽可达 12.8T，内置液冷散热，适配超高算力机柜。
玻璃基板相较有机、硅基板具备五大核心优势：超低介电损耗、CTE 可定制适配各类芯片、高密度 TGV 通孔、绝缘性好、透光可实现光波导集成，是 CPO 终极载体。目前形成两大应用路线：一是 TGV 转接板方案，通过通孔电镀、双面 RDL 实现光电芯片集成；二是玻璃光波导方案，通过离子交换制备波导，实现内部光耦合，大幅提升可测试性。
同时梳理产业现实挑战：玻璃脆性高易裂、热导率偏低、玻璃与介质结合力弱、激光加工易产生微裂纹、高深宽比电镀填孔空洞率难控制。行业需从材料改性、激光工艺优化、缓冲层设计、电镀配方迭代多维度突破。
中科智芯具备 WLCSP/FOWLP/FCBGA 全制程能力，拥有热 / 电 / 结构多物理场仿真、基板 RDL 设计、晶圆级量产能力，可提供玻璃基 CPO 一站式 Turnkey 方案，在翘曲控制、嵌入式散热、液冷适配方面已形成成熟工艺。
联合微电子中心有限责任公司微系统中心光电微系统设计专家罗伟分享《面向下一代高速通信的光电合封解决方案》围绕高速通信驱动下的 CPO 技术路线、平台能力与国产布局展开分享。
他梳理光模块从可插拔向 2.5D/3D CPO 演进路径，单波 100G 向 200G 迭代已成行业共识，2.5D 基于有机转接板工艺成熟但高速损耗大，3D 堆叠工艺性能强但存在工艺兼容、良率挑战。
联合微电子依托 8 英寸光电融合工艺平台，具备硅光芯片、2.5D/3D 异构集成量产能力，布局两大核心技术：一是硅光转接板有源 TSV 工艺，实现光电工艺解耦，规避刻蚀工艺不兼容难题；二是嵌入式硅桥、IPD 深槽电容技术，解决高密度互联与电源完整性问题。
在硅光器件工艺上，光栅波导损耗低至 0.5dB/cm，微环调制器、探测器带宽突破 50G/60G，400G/800G 硅光芯片已稳定供货，1.6T 产品完成研发。在先进封装层面，实现 5×50μm 微细 TSV、7 层 RDL 布线、0.4μm 最小线距工艺能力，可提供 2.5D 硅转接、嵌入式硅桥、HBM 异构集成一站式解决方案，为国产高速光电合封提供工艺底座。
芯和半导体技术总监黄晓波带来《系统级 EDA 加速 TGV 设计与应用》。基于韬定律与系统集成趋势，阐述 TGV / 玻璃基封装对 EDA 的全新需求。他提出，后摩尔时代依靠2.5D/3D 堆叠、Chiplet 异构集成，以空间换工艺、以封装换性能，SOC 向 SOW、CPO 光电一体架构演进已成必然。封装基板也从陶瓷→有机→硅→玻璃迭代，TSV 逐步向 TGV 演进，玻璃基凭借低损耗、低翘曲成为高端封装首选。
传统 DTCO 芯片设计模式已无法适配，必须走向STCO 系统级工艺协同优化，覆盖芯片、封装、PCB、整机全链路。当前 TGV/CPO 设计面临光电耦合、多物理场耦合、供电网络噪声、热串扰多重难题，需实现光、电、热、应力一体化仿真。
芯和半导体构建全栈 EDA 平台，支持 TGV 工艺 PDK 建模、3DIC 封装设计、光电联合仿真、信号 / 电源完整性分析、热仿真多场景；实现 AI 赋能仿真加速，解决传统分步仿真精度低、周期长痛点。强调 TGV 与玻璃基 CPO 的落地，必须依靠前仿真驱动设计、全链路协同优化，EDA 工具是产业国产化的核心基础支撑。
湖北江城实验室 CPO 技术预研负责人刘卓雄带来《高密度互联技术赋能光电共封装：技术路径与挑战》。刘卓雄从电互联、光互联、共性挑战三大维度，解析高密度互联对 CPO 的支撑逻辑。
他表示 AI 大模型驱动交换机带宽向 102.4T、204.8T 快速迭代，传统可插拔架构插入损耗与功耗过高，CPO 通过缩短电互联链路，将单端口功耗从 30W 降至数瓦，是算力网络的必然选择。
电互联路径上，基板从有机向玻璃升级；中介层涵盖硅 TSV、EMIB 嵌入式硅桥、RDL 重布线三大方案；混合键合可实现亚微米间距互联，是 3D 堆叠终极形态。光互联分为芯片内 / 芯片间 / 对外三层架构，光纤耦合、微透镜定位是核心工艺，亚微米级对准精度已实现量产。
CPO 产业共性挑战集中在信号完整性、热管理、组装工艺、可靠性测试四大维度。江城实验室自研 Haters Star 全栈工艺平台，具备高深宽比 TSV、异质封装集成、多层 RDL、嵌入式电容电感工艺能力，在硅光耦合、2.5D 集成、光电协同仿真方面实现技术突破，为国产 CPO 高密度互联提供工艺与仿真支撑。
爱尔兰廷德尔国家研究所技术专家 How Yuan Hwang带来《用于光电应用的玻璃基平台》分享玻璃基光子应用平台技术架构、材料特性与工艺路线，重点阐述玻璃作为光子载体的低损耗、高透光、可激光微加工、大面积面板化优势，分析玻璃基板在波导制备、光耦合、TGV 通孔、光电共封中的适配性，对比不同玻璃材质在光学损耗、热稳定性、工艺兼容性差异，为海外技术路线与国内产业协同提供参考。
上海交大无锡光子芯片研究院市场部负责人徐佩分析《光电融合赋能 AI 智算新机遇》。徐佩从产业生态、平台建设、技术落地角度，解读光电融合与 CPO 产业机遇。她指出，AI 算力革命下光电融合是第四次工业革命核心载体，CPO 可将传输时延降至原来 0.05 倍，实现大带宽、低功耗、无损耗传输，光子芯片成为半导体换道超车关键赛道。全球 CPO 市场未来数年将实现百倍增长，国内下游应用强但上游材料、设备、工艺短板突出。
上海交大无锡光子芯片研究院由政府与高校共建，投资 6.5 亿元打造光子芯片中试平台，实现6/8 英寸兼容流片、薄膜铌酸锂工艺、飞秒激光直写、TGV 玻璃基板四大核心能力，可提供 MPW 留片、光刻刻蚀、封装测试全流程服务。
研究院掌握多维飞秒激光直写技术，光波导集成密度远超传统方案；TGV 通孔宽深比可达 11:1，支撑玻璃基 CPO 量产。同时布局光子芯谷产业集群，以工艺平台为核心，联动上下游企业、资本与科研机构，推动光子芯片、CPO 封装、光通信器件国产化落地，构建国内光电融合产业新生态。
浙江大学教授丁勇担纲iCPO2026主持人
上海交大无锡光子芯片研究院生态拓展部部长、光子芯谷创新中心副总经理付攀担纲iCPO2026主持人
本次 iCPO 2026 国际光电合封会议完整覆盖CPO/NPO 技术路线、板基扇出、玻璃基板与 TGV、硅光 / 铌酸锂材料、EDA 仿真、可靠性机理、工艺量产、产业生态全链条。行业形成共识：AI 算力爆发倒逼光互联架构革新，NPO 短期落地、CPO 长期终极、玻璃基成为核心载体已是行业确定性趋势。
国内企业在扇出封装、硅光工艺、TGV 加工、EDA 仿真、可靠性研究、中试平台建设上已实现多点突破，但仍面临微裂纹控制、电镀填孔、光电耦合良率、热管理、标准统一等瓶颈。会议汇聚产学研力量，明确了以玻璃基板、薄膜铌酸锂、高密度互联、系统级仿真为核心攻关方向，为国内光电合封技术自主可控、规模化量产与生态共建奠定坚实基础。
