复旦大学魏大程团队研发半导体性光刻胶 实现特大规模集成度有机芯片制造
复旦大学高分子科学系、聚合物分子工程国家重点实验室魏大程团队设计了一种新型半导体性光刻胶，利用光刻技术在全画幅尺寸芯片上集成了2700万个有机晶体管并实现了互连，在聚合物半导体芯片的集成度上实现新突破，集成度达到特大规模集成度水平。
拓荆科技高端半导体设备产业化基地已开工建设
据报道，日前，拓荆科技召开2025年第一季度业绩说明会，公司董事长吕光泉等管理层就经营状况及行业前景回应投资者关切。
我国第三代自主超导量子计算机全球访问数据公布，美国用户排第一
从登录用户看，美国、保加利亚、新加坡、日本、俄罗斯、加拿大等全球61个国家的用户均远程访问了“本源悟空”
华南站丨多项创新技术聚合，智能检测技术如何炼就“火眼金睛”？
作为智能制造的核心装备，智能检测装备也是“工业六基”的重要组成和产业基础高级化的重要领域，对加快制造业高端化、智能化、绿色化发展，提升产业链供应链韧性和安全水平，支撑制造强国、质量强国和数字中国建设具有重要意义
北方华创向子公司增资，参与设立二期基金
据消息，北方华创2月17日晚间发布公告称，公司已向全资子公司北方华创创新投资（北京）有限公司增资5.1亿元，参与设立的北京集成电路装备产业投资并购二期基金（以下简称二期基金），已完成相关登记备案手续。
三星首款3nm可穿戴芯片发布，采用面板级封装
日前，三星官网正式发布其首款采用3nm GAA先进工艺的可穿戴设备SoC芯片Exynos W1000，将首搭在Galaxy Watch 7上。该产品应用了先进制造工艺和封装方法，提高性能的同时有助于减小体积，为电池预留更大空间，从而延长续航，也为智能手表的设计增添了灵活性。
SK海力士开发出全球首款第六代10纳米级DDR5 DRAM
自SK海力士官网获悉，8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功开发出采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb DDR5 DRAM，将在年内完成1c DDR5 DRAM的量产准备，从明年开始供应产品，引领半导体存储器市场发展。
