SK海力士将积极扩产标准型DRAM产能
据韩媒报道，SK海力士（SK Hynix）明年除积极扩产HBM内存外，也将全力扩充HBM以外的通用DRAM内存的产能。
“闪速退火”工艺一秒制备晶圆级高性能储能薄膜
据新华社报道，近日，中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心胡卫进研究员团队携手合作者
瑞萨电子拟售时序IC部门，估值近20亿美元
据外媒报道，有消息人士透露，日本瑞萨电子公司（Renesas Electronics Corp）正探讨出售其时序业务部门，该业务估值可能接近20亿美元，目前该交易仍处于初期阶段。
格罗方德引进台积电GaN生产技术授权
当地时间11月10日，GlobalFoundries 格罗方德（GF、格芯）宣布与台积电就650V和80V氮化镓（GaN）技术达成技术许可协议。
三星追加19亿美元升级奥斯汀工厂
据韩媒报道，三星电子计划向其位于美国得克萨斯州奥斯汀的半导体晶圆厂追加约19亿美元（约合135亿元人民币）投资，用于升级现有产线并引进尖端芯片制造设备
CSPT 2026 |天成半导体：成功制备出国内14英寸碳化硅单晶材料！
近日，天成半导体正式宣布，依托自主研发设备成功研制出14 英寸（350mm）碳化硅单晶衬底的制备与核心性能验证，有效厚度达30㎜，实现了我国在超大尺寸碳化硅衬底领域的重大技术跨越。本次技术突破，不仅填补了国内在该领域的技术空白，也将全球碳化硅单晶衬底的研发尺寸纪录提升至新的量级，标志着我国在第三代半导体核心材料领域的研发能力跻身全球第一梯队。据参与研发的技术人员披露，本次制备的 14 英寸碳化硅单
星宸科技完成上海富芮坤53%股权收购
10月20日，星宸科技发布晚间公告称，公司拟以现金方式收购上海富芮坤微电子有限公司（简称“上海富芮坤”）53.3087%的股权，交易对价为人民币21,430.7430万元。
