伟测集成电路芯片晶圆级及成品测试基地项目通过竣工验收
据消息，近日，南京伟测集成电路芯片晶圆级及成品测试基地项目顺利通过竣工验收备案。
SK海力士宣布最早2026年推出HBM4E内存 带宽为上代1.4倍
据消息，SK海力士HBM负责人Kim Gwi-wook表示，当前业界HBM技术已经到了新的水平，行业需求促使SK海力士将加速开发过程，最早在2026年推出HBM4E内存，相关内存带宽将是HBM4的1.4倍。
贺利氏集团投资下一代半导体材料，与化合积电建立合作关系
2024年3月21日，总部位于哈瑙的家族企业和科技公司贺利氏，向位于中国的高端工业金刚石材料供应商化合积电（厦门）半导体科技有限公司（简称“化合积电”）投资数百万欧元。
产能供不应求晶圆一哥积极扩产台积电传屏东盖CoWoS 厂
台积电 CoWoS先进封装产能严重供不应求，南科嘉义园区新厂甫动工扩产之际，下游供应链爆料，台积有意前往屏东再盖先进封装厂，现已迈入找地阶段。
中新国际联合研究院和微纳芯材共建半导体材料联合实验室
据消息，5月30日，中新国际联合研究院和广州微纳芯材料科技有限公司共建的半导体材料联合实验室签约暨揭牌仪式在研究院举行。
台积电3nm家族最新进度：N3E已有多家大客户采用 N3P已完成认证
台积电日前分享了公司3nm（N3）家族最新进度。其中，N3E已按计划于去年第四季开始量产，目前N3E已有多家大客户采用；N3P制程计划今年下半年量产，已完成认证，良率表现已接近N3E。
三星宣布获首个2nm AI芯片订单
自三星电子官网获悉，7月9日，三星电子宣布将向日本人工智能公司Preferred Networks提供采用2nm GAA工艺和先进2.5D封装技术的Interposer-Cube S（I-Cube S）一站式半导体解决方案。
科友半导体碳化硅晶体厚度突破80mm
5月29日，科友半导体碳化硅晶体生长车间传来捷报，自主研发的电阻长晶炉再次实现突破，成功制备出多颗中心厚度超过80mm，薄点厚度超过60mm的导电型6英寸碳化硅单晶。
