消息称三星下代400+层 V-NAND 2026年推出

据韩媒报道,根据其掌握的三星半导体存储路线图,三星电子将于2026年推出的下代 V-NAND 堆叠层数超过400,而预计于2027年推出的 0a nm DRAM 则将采用 VCT 结构。

进入倒计时丨共赴亮点纷呈的大湾区国际传感器盛会

2023年3月29日-31日,深圳国际传感器与应用技术展览会携500+行业领袖、10+重点展区与地区展团、1000+参展参会企业,联同20+全球传感器发展、先进传感器制造、工业互联网、汽车电子等话题,力求为行业呈上一场高质量精彩盛会。