至讯创新完成A轮融资,官宣19nm NAND闪存芯片

据至讯创新官微消息,近日,至讯创新科技(无锡)有限公司(以下简称“至讯创新”)宣布成功完成亿元级A轮融资。本轮融资由多家知名投资方共同参与,旨在进一步推动公司在AI存储芯片领域的技术创新和市场扩张。

大摩:三星HBM4技术将外包给台积电

大摩半导体产业分析师詹家鸿指出,三星预计在2026年将其HBM4基底技术外包给台积电,并采用12nm/6nm制程。 台积电面临强劲需求的情况下,正积极进行产能扩张,预计在2025年将资本支出增加至380亿美元。

SK海力士加快16层HBM3E量产进度

据韩媒报道,SK海力士已开始准备量产HBM3E 16层产品,新工艺设备正在引进和测试,现有设备也在优化和维护以适应新产品,主要工艺测试结果也正在顺利出炉,为明年初的出样乃至2025上半年的大规模量产与供应打下基础。

台亚宣布分割8英寸GaN产品事业群

5月28日,台亚半导体宣布经股东大会决议,通过了此前提出的8英寸GaN(氮化镓)业务分割计划,并由子公司冠亚半导体承接该业务。同时,台亚总经理衣冠君将转任冠亚半导体总经理,负责台亚集团未来8英寸GaN产品相关业务。