消息称三星电子今年底启动HBM4内存流片 为明年底量产做准备

三星电子将于今年底启动下代HBM4内存的流片,为明年底的12层堆叠HBM4产品量产做准备。考虑到从流片到测试产品的推出还需要3到4个月的时间,三星电子的HBM4 12H样品预计最早明年初亮相。三星电子此后将对样品进行功能验证并改进设计和工艺,改进后的样品将向主要客户出样。

全新纳米级3D晶体管面世

据科技日报报道,近日,美国麻省理工学院团队利用超薄半导体材料,成功研制出一种全新的纳米级3D晶体管。

美光获逾61亿美元补助

据外媒报道,12月10日,美国政府宣布,商务部已敲定根据《芯片法案》,对存储器大厂美光(Micron)补助逾61亿美元(约合人民币443亿元),以支持该公司打造数家本土芯片厂。

金信新材料8英寸碳化硅晶锭项目完成研发

据长江新区官微消息,近日,武汉金信新材料有限公司(简称“金信新材料”)芯片用第三代半导体8英寸碳化硅晶锭项目完成研发,通过了行业专家验证,金信新材料加工生产的碳化硅超纯结构件各项指标均达到发达国家同类产品水平。

华工科技半导体激光装备产业创新联合实验室启动

据华工科技官微消息,12月24日,华工科技半导体激光装备产业创新联合实验室(以下简称“联合实验室”)启动仪式在华工激光举行。联合实验室旨在通过深度融合产业与学术资源,聚焦光电子信息和高端装备两大产业方向,推动半导体激光装备产业的技术革新与产业升级。