SK海力士开发出全球首款第六代10纳米级DDR5 DRAM

自SK海力士官网获悉,8月29日,SK海力士宣布,全球首次成功开发出采用第六代10纳米级(1c)工艺的16Gb DDR5 DRAM,将在年内完成1c DDR5 DRAM的量产准备,从明年开始供应产品,引领半导体存储器市场发展。

三星:未来十年单颗SSD的容量可达1PB

据三星半导体消息,三星预计,在未来十年单颗SSD的容量可达1PB(一千万亿字节)。三星表示,基于3D制造工艺的NAND闪存产品的数据存储能力正在不断提高,这种演变发生在物理缩放技术、逻辑缩放技术、32DIE堆叠封装三个领域

复旦大学魏大程团队研发半导体性光刻胶 实现特大规模集成度有机芯片制造

复旦大学高分子科学系、聚合物分子工程国家重点实验室魏大程团队设计了一种新型半导体性光刻胶,利用光刻技术在全画幅尺寸芯片上集成了2700万个有机晶体管并实现了互连,在聚合物半导体芯片的集成度上实现新突破,集成度达到特大规模集成度水平。

三星首款3nm可穿戴芯片发布,采用面板级封装

日前,三星官网正式发布其首款采用3nm GAA先进工艺的可穿戴设备SoC芯片Exynos W1000,将首搭在Galaxy Watch 7上。该产品应用了先进制造工艺和封装方法,提高性能的同时有助于减小体积,为电池预留更大空间,从而延长续航,也为智能手表的设计增添了灵活性。