消息称三星下代400+层 V-NAND 2026年推出

据韩媒报道,根据其掌握的三星半导体存储路线图,三星电子将于2026年推出的下代 V-NAND 堆叠层数超过400,而预计于2027年推出的 0a nm DRAM 则将采用 VCT 结构。

台积电协同旗下创意拿下SK海力士订单

据消息,继台积电独家代工英伟达、超微等科技巨头AI芯片之后,传出台积电协同旗下特殊应用IC设计服务厂创意,取得SK海力士在HBM4的关键基础介面芯片委托设计案订单。预期最快明年设计定案,将依高效能或低功耗不同,分别采用台积电12纳米及5纳米生产。 ​