德州仪器启用马六甲第二座封测工厂

据外媒报道,日前,德州仪器(TI)宣布,其位于马来西亚马六甲的第二座组装和测试工厂 TIEM2 正式启用,每年可对数十亿颗模拟及嵌入式芯片进行后端综合处理。

思锐智能半导体先进装备研发制造中心落成投产

据思锐智能官微消息,日前,思锐智能半导体先进装备研发制造中心落成投产仪式在青岛隆重举行。据悉,思锐智能半导体先进装备研发制造中心由思锐智能与青岛城投集团联合打造,总占地约95亩,总建筑面积约8.9万平方米,计划投资超12亿元,聚焦原子层沉积镀膜(ALD)和离子注入机(IMP)两大核心装备的研发与量产。思锐智能董事长聂翔表示,思锐智能半导体先进装备研发制造中心不仅是一座年产上百台核心设备的研发生产基

IBM 与加拿大政府、魁北克省政府签署半导体产业合作协议

据外媒消息,近期,IBM 、加拿大政府、魁北克省政府宣布了一项协议,该协议将加强加拿大的半导体产业,并进一步开发半导体模块的组装、测试和封装 ( ATP ) 能力,这些模块将被用于广泛的应用,包括电信、高性能计算、汽车、航空航天和国防、计算机网络和生成式人工智能。这份协议反映了总价值约 1.87 亿加元的投资。

沐曦股份科创板IPO申请获受理

据上交所官网,沐曦集成电路(上海)股份有限公司科创板首发申请获得上交所受理。此次沐曦股份拟募集资金39.04亿元,保荐机构为华泰联合证券。​

上海科研团队研制出超高速闪存,每秒存取25亿次

据科技日报消息,近日,由复旦大学周鹏/刘春森团队研制的“破晓”皮秒闪存器件,擦写速度快至400皮秒,相当于每秒可执行25亿次操作,是人类目前掌握的最快半导体电荷存储器件。相关研究成果已发表于国际期刊《自然》。

西部集成电路与工业软件创新港签约永川

据“永川发布”公众号消息,日前,永川区与华为技术有限公司、西凯教育科技集团签署合作协议,政校企三方再度拓展合作,共同打造西部集成电路与工业软件创新港暨重庆智能工程职业学院产教融合示范基地。

高通拟24亿美元收购Alphawave IP技术

据了解,Alphawave是高速有线连接和计算技术领域的半导体IP领导者,提供 IP、定制芯片、连接产品和芯片组,可以以更高的性能和更低的功耗实现更快、更可靠的数据传输。其 “串行器 / 解串器(serdes)” 技术在4月初吸引了高通和软银旗下芯片技术供应商Arm的收购兴趣。

IC-SRDI2026:《财富》中国500强:中芯国际、北方华创、通富微电等25家半导体/电子元件企业上榜

7月21日,财富中文网发布2026年《财富》中国500强排行榜。该榜单覆盖上市和非上市企业,上榜的500家中国公司2025年合计实现营业收入14.26万亿美元,同比增长约0.3%;净利润达到7949亿美元,同比增长约5%,今年的上榜营收门槛约为35.4亿美元。在半导体、电子元件领域,共有25家企业进入榜单,2025年合计实现营业收入3228.7亿美元,合计净利润663.2亿美元。25家企业覆盖晶圆

英特尔将搁置在意大利的投资

据外媒报道,意大利工业部周四表示,英特尔推迟了在意大利的投资计划,此前在2022年3月首次提出的建设先进封装和芯片组装工厂的项目尚未确定。

嵌入半导体创新的关键节点:TEL的产品版图与战略雄心

当人工智能重塑全球算力格局,半导体产业正在经历60年来最深刻的一次技术跃迁。从存储器的三维堆叠到逻辑芯片的埃级制程,这一次工艺演进的背后,也离不开制造设备的同步革新。在这场产业变革中,半导体设备巨头Tokyo Electron(TEL)的身影愈发关键。TEL不仅以92%的涂胶显影设备市占率领跑光刻工艺配套领域,更以覆盖成膜、刻蚀、清洗、键合等核心工艺的完整产品矩阵,深度嵌入全球主流晶圆厂的生产流程

IC-SRDI2026:长鑫科技中签号出炉!

7月19日,科创板重磅IPO项目长鑫科技披露首次公开发行股票网下初步配售结果及网上中签结果,标志着这一刷新科创板募资纪录的上市项目正式进入缴款阶段。本次IPO凭借超570亿元的募资规模,成功超越中芯国际,登顶科创板史上最大IPO。根据公司官方公告,长鑫科技本次IPO发行价格确定为8.66元/股,初始发行股份数量约66.88亿股。本次网上申购共计产生7702207个中签号码,供广大投资者认购。据悉,

ICEPT2026:苏州纳米所孙钱团队在第38届功率半导体器件和集成电路国际会议发表两项研究进展

在日前举行的功率半导体领域顶级会议IEEE ISPSD 2026上,中国科学院苏州纳米所孙钱研究员团队连续发表了两项研究进展。针对高压GaN功率器件在工程应用中长期面临的“栅极阈值电压漂移”和“导通电阻居高不下”两大瓶颈,团队从物理机制与器件结构出发给出了创新解决方案。工作1: 借助AlGaN势垒层中的GaN插入层导流释放动态积累空穴,显著提升p-GaN栅极动态稳定性p-GaN栅增强型高电子迁移率