上海超硅拟募资近50亿元扩建产能，未盈利申报IPO
6月13日晚间，上海超硅半导体股份有限公司（简称“上海超硅”）科创板IPO申请已获上交所受理。
联芸科技披露招股意向书，将于11月18日开启申购
近日，联芸科技（杭州）股份有限公司（以下简称“联芸科技”）披露招股意向书，公司拟公开发行1亿股，发行股份占公司发行后总股本的比例为21.74%。本次发行初步询价日期为11月13日，申购日期为11月18日，申购代码为787449。发行结束后公司将尽快申请在上海证券交易所科创板上市。
安森美收购Qorvo旗下SiC JFET技术
据安森美官微消息，近日，安森美（onsemi）宣布已与Qorvo达成协议，以1.15亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术业务及其子公司 United Silicon Carbide。
消息称三星获英伟达AI芯片2.5D封装订单
据业内人士透露，三星电子最近获得了一批英伟达AI芯片的2.5D封装订单，并正在批量生产。
南通艾佩科半导体前驱体材料及高纯电子特气生产项目主体封顶
据消息，4月23日，南通艾佩科半导体材料有限公司半导体前驱体材料及高纯电子特气生产项目举行办公楼主体封顶仪式。
湖北亚芯电子35条全新封测产线投产
据报道，近日，荆门市首个半导体封测项目——湖北亚芯电子35条全新封测产线在东宝区电子信息产业园投产。
商务部部长王文涛会见AMD公司董事会主席兼首席执行官苏姿丰
据商务部网站消息，3月24日，商务部部长王文涛会见美国AMD半导体公司董事会主席兼首席执行官苏姿丰。双方就中美经贸关系、AMD在华发展等议题进行了交流。
新思科技携手英特尔推动基于18A工艺的埃米级芯片设计
近日，在英特尔代工Direct Connect 2025上，新思科技宣布与英特尔在EDA和IP领域展开深度合作，包括利用其通过认证的AI驱动数字和模拟设计流程支持英特尔18A工艺；为Intel 18A-P工艺节点提供完备的EDA流程支持；实现业界首个商用PowerVia背面供电技术代工方案。
消息称美光拟调升Q2产品报价 涨幅超两成
据相关市场人士透露，存储芯片龙头美光已向多数客户提出调升Q2产品报价，涨幅超过两成。价格谈判仍在进行中。
格芯宣布收购AMF，成为全球最大的硅光子代工厂
自GlobalFoundries官网获悉，当地时间11月17日，GlobalFoundries（GF，格芯）宣布收购总部位于新加坡的硅光子代工厂Advanced Micro Foundry（以下简称"AMF"），这是GF推进创新战略和硅光子领域领先地位的关键一步。
越南批准首座晶圆厂建设计划
据外媒报道，越南政府已批准一项价值12.8万亿越南盾（约合人民币36.45亿元）的晶圆厂建设计划，这将是越南第一座晶圆厂。
存储芯片价格已较去年同期上涨约50% 报告称或还将持续上涨
据消息，存储芯片是半导体市场最主要的细分领域，主要分为闪存和内存。数据显示，今年以来存储芯片价格已较去年同期上涨约50%。某存储企业负责人表示，从2023年年底开始，半导体存储产业逐步进入上行周期，今年已多次收到上游存储芯片厂提高合约价的通知。有报告显示，存储芯片价格或还将持续上涨，预计今年第二季度DRAM内存新品合约价格将上涨13%至18%。
国家重点研发计划“异质集成光量子芯片及光场多维调控”项目启动
据消息，近日，由上海交通大学、上海交大无锡光子芯片研究院、香港大学、粤港澳大湾区（广东）量子科学中心、深圳国际量子研究院联合承担的国家重点研发计划“晶圆级异质集成光量子芯片及高速光场多维调控”项目启动交流会在无锡滨湖区光子芯谷成功召开。
三星计划2028年推出“移动HBM”
据韩媒报道，三星电子半导体暨装置解决方案（DS）部门首席技术官宋在赫表示，搭载LPW DRAM内存的首款移动产品将在2028年上市。
SK海力士成功开发基于321层NAND闪存的UFS 4.1解决方案产品
5月22日，SK 海力士宣布，公司成功开发出搭载全球最高321层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 闪存的移动端解决方案产品UFS 4.1。
电子堆叠新技术造出多层芯片
据科技日报消息，近日，美国麻省理工学院团队在最新一期《自然》杂志上介绍了一种创新的电子堆叠技术。该技术能显著增加芯片上的晶体管数量，从而推动人工智能（AI）硬件发展更加高效。通过这种新方法，团队成功制造出了多层芯片，其中高质量半导体材料层交替生长，直接叠加在一起。
