台积电董事澄清：从未讨论过接手英特尔晶圆厂
据台媒报道，台积电董事刘镜清3月19日表示，台积电董事会从未讨论过接手英特尔代工部门的事。
韩国6月半导体出口额同比增长11.6%达149.7亿美元 创历史新高
据韩国产业通商资源部（Ministry of Trade, Industry and Energy）7月1日公布的数据显示，2025年6月，韩国出口金额达598亿美元，较去年同期增加4.3%，逆转5月年减1.3%的走势，并创历史同月新高纪录。
燕东微拟募资40亿元用于12英寸集成电路生产线项目
大半导体产业网消息，燕东微日前发布公告称，公司拟向控股股东、实控人北京电控定增募资不超40.2亿元（含本数），扣除发行费用的净额拟投资于北电集成12英寸集成电路生产线项目以及补充流动资金。公告显示，北电集成12英寸集成电路生产线项目总投资额为330亿元，规划建设 12 英寸集成电路芯片生产线，产品主要面向显示驱动、数模混合、嵌入式 MCU 等领域，搭建 28nm-55nmHV/MS/R
出资额40亿，上海海迈先导零部件材料私募投资基金成立
据天眼查APP显示，2月12日，上海海迈先导零部件材料私募投资基金合伙企业（有限合伙）成立，执行事务合伙人为上海浩迈晶联企业管理合伙企业（有限合伙），出资额40亿人民币，经营范围为以私募基金从事股权投资、投资管理、资产管理等活动。
北方华创高介电常数原子层沉积设备获批量订单
据北方华创官方微信号披露，近期公司12英寸高介电常数原子层沉积设备Scaler HK430实现稳定量产，获得批量订单
复旦科创母基金正式成立，首期规模10亿元
据报道，12月3日，2024首届复旦科技创新投资大会在复旦举行。会上，复旦科创母基金正式成立。
台积高雄第三座2纳米厂来了
台积电高雄第一座2纳米厂施工中，第二座2纳米厂也已启动，第三座高雄P3厂用地17.22公顷，24日通过高雄市都市计划委员会变更为甲种工业区，未来再通过环评、土污解除列管之后，即可申请建照动工兴建第三座2纳米厂。
三星电子400层NAND完成研发，已开始导入产线
据韩媒报道，目前，三星电子已在其半导体研究所成功完成400层NAND技术，并已于上月开始将这项先进技术转移到平泽园区一号工厂的大规模生产线上。
铠侠与闪迪合作研发出332层NAND闪存
自铠侠官网获悉，日前， 铠侠公司和闪迪公司宣布率先推出了最先进的3D闪存技术，以4.8Gb/s的NAND接口速度、卓越的能效和更高的密度树立了行业标杆。
商务部部长王文涛会见AMD公司董事会主席兼首席执行官苏姿丰
据商务部网站消息，3月24日，商务部部长王文涛会见美国AMD半导体公司董事会主席兼首席执行官苏姿丰。双方就中美经贸关系、AMD在华发展等议题进行了交流。
富乐德：拟收购关联方杭州之芯半导体公司100%股权
富乐德6月7日晚间公告，为拓展半导体设备及零部件维修领域业务，公司与杭州大和江东新材料科技有限公司签订附条件生效的《股权转让协议》，收购杭州之芯半导体有限公司100%股权，交易价格6800万元。
三星电子工会宣布发起全国大罢工
有媒体报道称，韩国韩国科技大厂三星电子工会今天宣布发起全国大罢工，并表示在改善薪酬和休假福利等要求得到满足前，将会持续奋战。
紫光同芯发布高端控制芯片THA6系列新品THA6412
在2024紫光同芯合作伙伴大会上，紫光同芯正式发布第二代高端控制芯片THA6系列新品THA6412。该芯片在安全性、可靠性、算力、实时性等方面进行了升级，是继今年7月紫光同芯发布THA6206芯片后，又一款通过ASIL D产品认证的旗舰级R52+内核车规MCU。
日本政府将向Rapidus投资13亿美元，力推2027年量产2nm芯片
日本政府正加速推进本土尖端芯片制造业的发展，计划在2025财年向芯片制造商Rapidus投资2000亿日元（约合12.9亿美元），以刺激私营部门的进一步投资和融资。这一举措将使政府在公司治理中拥有更多发言权，与此前的补贴模式形成鲜明对比。
2024慕尼黑华南电子展预登记开启，邀您共探电子“芯”未来
慕尼黑华南电子展(electronica South China)将于2024年10月14-16日在深圳国际会展中心（宝安新馆）举办
欧盟拟斥资1.33亿欧元在荷兰建设光子集成电路中试线
自荷兰政府官网获悉，当地时间11月11日，荷兰政府称，欧盟拟斥资1.33亿欧元（约合人民币10.2亿元）在荷兰建设一条光子集成电路（PIC）中试线。据悉，荷兰国家应用科学研究院、埃因霍温理工大学、特文特大学已获得建设拟议产线的合同，Smart Photonics 等荷兰企业也将参与这一项目。如果进展顺利，该PIC中试线预计于2025年中动工。
SK海力士开始量产全球最高的321层NAND闪存
SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）21日宣布，开始量产全球最高的321层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）* 4D NAND闪存。
镓仁半导体氧化镓二期工厂正式启用
据悉，在二期工厂中，镓仁半导体自主研发并对外销售的垂直布里奇曼法（VB法）氧化镓专用长晶炉已全面进线，而且在现有基础上对工艺进行持续优化。
