康达新材：子公司拟2.89亿元投建半导体光刻胶光引发剂项目
康达新材4月16日发布公告称，经决议，公司同意控股子公司西安彩晶光电科技股份有限公司投资建设半导体光刻胶核心材料光引发剂技术研究和产业化项目。
台积电明年资本支出冲新高 2纳米需求超预期
据消息，台积电（2330） 2025年资本支出又将冲高。业界传出，因持续加码2纳米等最先进制程相关研发加上2纳米后续需求超乎预期强劲，产能将导入南科，台积电2025年资本支出可望达320亿美元至360亿美元区间，为历年次高，年增12.5%至14.3%。
大摩：三星HBM4技术将外包给台积电
大摩半导体产业分析师詹家鸿指出，三星预计在2026年将其HBM4基底技术外包给台积电，并采用12nm/6nm制程。 台积电面临强劲需求的情况下，正积极进行产能扩张，预计在2025年将资本支出增加至380亿美元。
鑫诚光电高端激光器芯片项目落户顺德
据“顺德发布”公众号消息，6月24日，广东鑫诚光电半导体有限公司与佛山市顺德区政府签约，标志着高端激光器芯片项目正式落地顺德陈村。
盛美上海推出带框晶圆清洗设备
今日，盛美上海推出用于先进封装的带框晶圆清洗设备。该设备可在脱粘后的清洗过程中有效清洗半导体晶圆。据悉，带框晶圆清洗设备的创新溶剂回收系统具有环境与成本效益，该功能可实现近100%的溶剂回收和过滤效果，进而减少生产过程中化学品用量。
韩国4月ICT出口同比减近36%连降10个月
韩国科学技术信息通信部5月15日表示，韩国4月信息通信技术（ICT）出口额同比减少35.9%，为127.7亿美元
台积电亚利桑那州工厂已开始生产4nm芯片
据外媒报道，美国商务部长吉娜・雷蒙多近日在受访时透露，台积电已开始在亚利桑那州为美国客户生产4nm芯片。
新洁能SiC/GaN功率器件及封测研发及产业化项目延期
据消息，新洁能8月13日发布公告称，拟将此前募投项目中的“第三代半导体 SiC/GaN 功率器件及封测的研发及产业化”项目达到预定可使用状态日期延期至2025年8月。
中国科学家在半导体领域获突破
近日，中国科学院大学教授周武课题组与山西大学教授韩拯课题组、辽宁材料实验室副研究员王汉文课题组、中山大学教授侯仰龙课题组、中国科学院金属研究所研究员李秀艳课题组等合作，提出了一种全新的基于界面耦合的p型掺杂二维半导体方法。
雄安高新区正式启动运行，将发展半导体材料、北斗等产业
5月9日上午，河北雄安新区高新技术产业开发区正式揭牌，标志着雄安新区高新技术产业开发区管委会组织机构正式运行。
神盾宣布暂缓与Curious股权交换
7月26日晚间，芯片设计公司神盾集团宣布将在维持股东权益最高原则下，暂缓Curious股权交换。
美光宣布获得61亿美元CHIPS和科学法案资助
美光宣布已根据《CHIPS 和科学法案》签署了一份不具约束力的初步条款备忘录 (PMT)，获美国政府拨款 61亿美元。
优晶科技8英寸电阻法SiC单晶生长设备通过技术鉴定
6月7日，苏州优晶半导体科技股份有限公司（以下简称“优晶科技”）宣布8英寸电阻法SiC单晶生长设备获行业专家认可，成功通过技术鉴定评审。
总投资约100亿元，奕斯伟半导体材料产业基地项目落户珠海金湾
据消息，6月13日，珠海市金湾区人民政府、华发集团与北京奕斯伟科技集团有限公司在珠海签订奕斯伟半导体材料产业基地项目投资协议，正式落户珠海金湾。
台积电提前完成2纳米工艺生产设备安装
台湾媒体援引投资银行瑞银集团（UBS）的最新报告称，台湾半导体制造公司（TSMC）2025 年的资本支出将增至 370 亿美元。瑞银补充说，由于台积电采取积极措施提前部署 2 纳米芯片技术，该公司 2024 年的支出可能达到其指导值的上限，即 320 亿美元。
总投资20亿元，路芯半导体掩膜版生产项目奠基开工
项目拟投资20亿元，占地面积74亩，建成后具备年产约35000片半导体掩膜版生产能力，技术节点达到28nm，可广泛应用于高性能计算、人工智能、移动通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车等众多产业涉及的集成电路半导体芯片制造、封装等领域
