士兰微获得政府补助

12月25日晚间,杭州士兰微电子股份有限公司(以下简称:士兰微)发布关于获得政府补助的公告。

鸿海布局第四代化合物半导体

近日,鸿海研究院半导体所,携手阳明交大电子所,双方研究团队在第四代化合物半导体的关键技术上取得重大突破,提高了第四代半导体氧化镓 (Ga2O3) 在高压、高温应用领域的高压耐受性能,为未来高功率电子元件开辟了新的可能性。

台积电协同旗下创意拿下SK海力士订单

据消息,继台积电独家代工英伟达、超微等科技巨头AI芯片之后,传出台积电协同旗下特殊应用IC设计服务厂创意,取得SK海力士在HBM4的关键基础介面芯片委托设计案订单。预期最快明年设计定案,将依高效能或低功耗不同,分别采用台积电12纳米及5纳米生产。 ​

SK海力士计划到2028年投资103万亿韩元 用于AI和芯片领域

韩国SK海力士母公司SK集团表示,到2028年,SK海力士将投资103万亿韩元(746亿美元),以加强其芯片业务,专注于人工智能。SK集团还表示,计划到2026年确保80万亿韩元的资金,用于投资人工智能和半导体领域,以及为股东回报提供资金,并对超过175家的子公司进行精简。​

紫光同芯发布高端控制芯片THA6系列新品THA6412

在2024紫光同芯合作伙伴大会上,紫光同芯正式发布第二代高端控制芯片THA6系列新品THA6412。该芯片在安全性、可靠性、算力、实时性等方面进行了升级,是继今年7月紫光同芯发布THA6206芯片后,又一款通过ASIL D产品认证的旗舰级R52+内核车规MCU。

威世向英国最大半导体工厂投资4.69亿元

威世科技(Vishay Intertechnology)将向位于南威尔士的纽波特晶圆厂投资5100万英镑(约4.69亿人民币),纽波特晶圆厂是英国最大的半导体晶圆制造工厂,这项投资得到了威尔士政府500万英镑的资金支持。

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度

据消息,三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前,8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨,这主要是因为地震影响美光内存产能,短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外,HBM内存需求旺盛,在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下,通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。​