世界先进为新加坡工厂寻求百亿银行贷款
据台媒报道，晶圆代工厂世界先进公司计划在新加坡建设一座12英寸晶圆厂。为此，世界先进已向金融业争取筹组一笔高达600亿元新台币(约合人民币133.68亿元)的大型联合贷款，预计最快可在明年第一季度完成签约。
天津金海通半导体项目封顶
据消息，日前，天津金海通半导体设备股份有限公司（以下简称“金海通”）“半导体测试设备智能制造及创新研发中心一期项目”主体建筑结构封顶。
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后摩尔时代，先进封装作为突破摩尔定律的一个重要方向，市场前景广阔，将成为半导体行业增长的新拐点。
美国要求台积电停供大陆7纳米AI芯片
据路透社10日报道，美国商务部致函台积电，要求从11日开始停止向中国大陆客户供应7纳米及更先进工艺的AI芯片
芯片设备商ASMPT结束与收购者的私有化谈判
据报道，半导体设备制造商ASMPT已终止有关收购要约的谈判，该交易可能导致这家价值40亿美元的公司私有化。
康佳进军第三代半导体封测
近日，据盐城网消息，康佳芯云半导体科技(盐城)有限公司（下文简称“康佳芯云”）负责人在接受采访时表示，公司正在推动对第三代半导体相关产品的研发，并增加投资以拓展产品线。
芯慧联芯两款自研混合键合设备顺利出货
据芯慧联芯官微消息，近日，芯慧联芯首台D2W混合键合设备SIRIUS RT300及首台W2W混合键合设备CANOPUS RT300顺利出货。
灿光光电总部研发生产基地二期将完工
据中国光谷官微消息，近日，武汉灿光光电有限公司（简称“灿光光电”）二期总部研发生产基地多栋建筑完成装修，整体项目进度已完成90%，预计明年1月施工完成。
富士康将在越南投资生产封装基板
据报道，近日，富士康科技集团旗下子公司讯芯科技宣布，将在越南北江省投资8000万美元，用于生产和加工电子元件，特别是封装基板。
SK海力士新一代CXL芯片或将由台积电代工
据韩媒报道，近期，SK海力士与ASICLAND签订311亿韩元（约合人民币1.59亿元）规模的CXL（Compute Express Link）高速互联存储器控制器设计合约，期限至2026年6月30日。
灿光光电总部研发生产基地二期冲刺建成
近日，武汉灿光光电有限公司（简称“灿光光电”）二期总部研发生产基地多栋建筑完成装修，整体项目进度已完成90%，预计明年1月施工完成。
全国产自主可控高性能车规级MCU芯片发布
据武汉经开区官微消息，11月9日，湖北省车规级芯片产业技术创新联合体2024年度大会在武汉经开区举行。会上，由东风汽车牵头组建的湖北省车规级芯片产业技术创新联合体发布高性能车规级MCU芯片——DF30 ，填补国内空白。
中芯国际：部分逻辑电路产能将转向功率器件
大半导体产业网消息，日前，中芯国际联席CEO赵海军在业绩会上表示，为满足公司客户的需求，公司将加速布局功率器件产能，充分支持汽车工业和新能源市场的发展。
总规模396亿元，江苏8大产业专项母基金进入投资期
据报道，自江苏省战略性新兴产业母基金管理部门获悉，截至11月7日，江苏省战略性新兴产业母基金首批10只设区市产业专项母基金中，已有8只在中国证券投资基金业协会完成备案，进入投资期。
总投资40亿元，中德（昆山）国际智能制造产业园开工
据“昆山发布”公众号消息，11月6日，中德（昆山）国际智能制造产业园在张浦镇开工。
英特尔将德国工厂启动推迟至2029年
据外媒报道，英特尔已经决定延长马格德堡兴新建晶圆厂项目的暂停时间，推迟到2029至2030年才会重新启动项目。
天岳先进成功交付P型SiC衬底
据天岳先进官微消息，近日，天岳先进向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底，标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。
总投资20亿元，北一半导体晶圆厂封顶
据北一半导体官微消息，日前，北一半导体位于穆棱经济开发区的晶圆工厂项目喜封金顶，将于24年年底完成主体工程建设。
三星将出售西安芯片厂旧设备及产线
据韩媒报道，三星近期将开始销售前端和后端生产线的旧设备，其中包括位于中国西安的NAND工厂。报道称，三星近期正在半导体部门（DS）实施大规模成本削减和产线调整，并正在考虑出售其中国半导体生产线的旧设备。预计出售程序将于明年正式开始，销售的设备大部分是100级3D NAND设备。自去年以来，三星电子一直致力于将其西安工厂的工艺转换为200层工艺。
