ERS electronic携新品助力中国封测市场
随着电动汽车、自动驾驶、人工智能(AI)、5G和物联网等新应用的兴起，市场对高级散热解决方案的需求不断增长。ERS electronic提供专业的可定制解决方案来解决这些热挑战，为半导体行业的发展助力
DNP成功研发3nm EUV微影用光罩
日本DNP宣布已研发出3nm EUV微影用光罩，2030年营收目标为100亿日元，且今后也将和imec等伙伴合作、推动2nm以后的光罩研发
新思科技重磅发布全新RISC-V处理器系列，进一步扩大ARC处理器IP组合
面向汽车嵌入式软件、存储和物联网应用的新一代ARC-V处理器
三星正在试产第二代3nm
据Chosun援引未具名的行业消息人士报道 ，三星代工厂已开始采用其 二代 3 纳米级工艺技术（称为 SF3）试生产芯片
3D堆叠、背面供电、背面触点，英特尔展示前沿晶体管微缩技术突破
2023年12月9日，英特尔在IEDM 2023（2023 IEEE 国际电子器件会议）上展示了多项技术突破，为其未来的制程路线图提供了丰富的创新技术储备，充分说明了摩尔定律仍在不断演进
理想汽车：年产240万只碳化硅半桥功率模块研发及生产基地启动建设
作为中国新能源市场的创新者，理想汽车致力于解决用户的里程焦虑和充电焦虑，将形成增程电动产品线和超快充纯电产品线“双轮驱动”的产品格局。为确保超快充纯电车型的产品力，该系列车型将搭载基于碳化硅功率模块的800V高压电驱动系统，充分发挥第三代半导体耐高压、耐高温的特性，实现功率密度和系统效率等性能的大幅提升。
中国团队成功研发65000通道脑机接口芯片
全国人大代表、武汉高德红外股份有限公司董事长黄立介绍，他带领中华脑机接口公司团队成功研发65000通道双向的脑机接口芯片，居于国际领先水平
长鑫存储推出多款LPDDR5产品
LPDDR5是长鑫存储面向中高端移动设备市场推出的产品，它的市场化落地将进一步完善长鑫存储DRAM芯片的产品布局
日清纺微电子門脇先生专访：我们非常重视在中国市场的投入和维系
日清纺微电子是由原来的理光微电子和新日本无线合并后成立一个的新公司。理光微电子2003年就进入了中国市场，主要是做电源产品。新日本无线在上海的子公司，2006年进入中国市场，主要销售运放、射频、通讯领域的产品
持续性能优化，从容应对挑战——澜起科技全新第五代津逮®CPU上市
12月18日，澜起科技于今日正式向外界发布其全新第五代津逮®CPU，旨在以多方面的性能优化应对AI、HPC、数据服务、网络/5G、存储等严苛工作负载的挑战
华润微携手锐成芯微推出基于0.153μm HD BCD工艺的eFlash IP
2023年3月，华润微电子有限公司（“华润微”）旗下的无锡华润上华科技有限公司（“华润上华”）宣布，公司在0.153μm HD BCD工艺平台上实现了Logic eFlash嵌入式存储技术与BCD技术的结合，这在国内尚属首创，该工艺平台的eFlash采用了成都锐成芯微科技股份有限公司（“锐成芯微”）的LogicFlash Pro® 专利技术
华为、哈工大联手：基于硅和金刚石的三维集成芯片专利公布
近日，华为技术有限公司、哈尔滨工业大学申请的“一种基于硅和金刚石的三维集成芯片的混合键合方法”专利公布，申请公布号为CN116960057A
紫光展锐Wi-Fi 6成功通过Wi-Fi联盟认证
近日，紫光展锐Wi-Fi 6产品成功通过Wi-Fi联盟 (简称“WFA”) Qualified Solution 认证，并支持Wi-Fi 6 Release 2，标志着紫光展锐自研Wi-Fi 6 IP技术已经成熟，在互操作性、安全性和一系列应用专有协议方面达到了国际行业标准
中国电科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET成功通过技术鉴定
该项目聚焦新能源汽车、光伏储能、智能电网等领域对高性能高可靠碳化硅 MOSFET器件自主创新的迫切需求，突破多项关键工艺技术，贯通碳化硅衬底、外延、芯片、模块全产业链量产平台
SK海力士开发出世界首款12层堆叠HBM3 DRAM， 已向客户提供样品
全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB（Gigabyte，千兆字节）**的HBM3 DRAM新产品，并正在接受客户公司的性能验证
无需依赖任何国外授权！龙芯新一代国产CPU来了
11月28日，2023龙芯产品发布暨用户大会在京召开，现场发布新一代通用处理器龙芯3A6000、打印机主控芯片龙芯2P0500成果，并对外公布龙芯处理器核IP及龙芯自主指令系统架构授权计划
华大半导体旗下中电化合物8吋SiC外延片首批产品交付
此次交付标志着企业的外延产品迈上一个新的台阶，为行业提供更为领先的技术支持，推动碳化硅行业更加快速发展
在光子芯片上减慢光速！中国科学家找到新方法
中国科学院深圳先进技术研究院、先进集成技术研究所副研究员李光元团队，提出在光子芯片上减慢光速新方法，有望极大地提高慢光光子芯片器件的性能，并在光传感、光通信、光计算和光缓存等领域获得广泛的应用，也将为慢光技术研究提供新思路
中国台湾中山大学成功突破6吋碳化硅晶体生长
近日，中国台湾中山大学晶体研究中心成功生长6吋导电型（n-type）4H碳化硅单晶，中心厚度为19mm，边缘约为14mm，生长速度达到370um／hr，晶体生长速度更快且具重复性，标示着中国台湾地区第三类半导体碳化硅向前推进的进程。
