芯原助力蓝洋智能部署基于Chiplet架构的芯片产品
芯原股份今日宣布AI Chiplet和SoC设计公司南京蓝洋智能科技 (简称“蓝洋智能”) 采用芯原多款处理器IP部署基于可扩展Chiplet架构的高性能人工智能 (AI) 芯片，面向数据中心、高性能计算、汽车等应用领域
三星电子推出12nm级32Gb DDR5 DRAM
三星电子表示，基于最新推出的12纳米级32Gb内存，可以研发出实现1TB内存模组的解决方案，有助于满足人工智能和大数据时代对于大容量DRAM内存日益增长的需求
SiFive 宣布推出针对生成式 AI/ML 应用的差异化解决方案，引领 RISC-V 进入高性能创新时代
P870 和 X390 全新登场：适用于基础设施、消费电子和汽车应用领域的高性能计算
英飞凌宣布推出SEMPER Nano NOR Flash闪存产品
近日，英飞凌宣布推出SEMPER Nano NOR Flash闪存产品，该闪存产品具有高功率密度、较小占板面积、低功耗等优势特性。这种存储器经过专门优化，适合在电池供电的小型电子设备中使用
康佳特COM Express模块通过IEC-60068铁路认证
2023年9月11日，全球嵌入式和边缘计算技术的领先供应商德国康佳特宣布其搭载英特尔®第11代酷睿™（代号“Tiger Lake”）处理器的conga-TC570r COM Express Type 6紧凑型模块获得了IEC-60068认证。
兆易创新与SEGGER联合推出免费商用的Embedded Studio集成开发环境
12月7日， 业界领先的半导体器件供应商兆易创新（GigaDevice）与业界著名工具链厂商德国SEGGER Microcontroller GmbH联合宣布，向所有使用GD32V系列RISC-V微控制器的用户提供免费商用的SEGGER Embedded Studio多平台集成开发环境（IDE）
国芯科技：高性能高安全边缘计算芯片新产品“CCP1080T”内部测试成功
该CCP1080T芯片产品可应用于服务器、安全网关、密码机、路由器、防火墙、工控机、PLC、智能路侧设备和网络小型基站等领域作为安全协处理器芯片或具有安全功能的主控制器芯片
意法半导体：2023年将量产8英寸碳化硅晶圆
意法半导体正在积极推进碳化硅晶圆产线从6英寸向8英寸转型，预计2023年8英寸碳化硅晶圆即将量产
英特尔发布全新硅自旋量子比特芯片Tunnel Falls
6月15日，英特尔发布包含12个硅自旋量子比特（silicon spin qubit）的全新量子芯片Tunnel Falls，继续探索量子实用性，以解决重大难题
中国台湾中山大学成功突破6吋碳化硅晶体生长
近日，中国台湾中山大学晶体研究中心成功生长6吋导电型（n-type）4H碳化硅单晶，中心厚度为19mm，边缘约为14mm，生长速度达到370um／hr，晶体生长速度更快且具重复性，标示着中国台湾地区第三类半导体碳化硅向前推进的进程。
在光子芯片上减慢光速！中国科学家找到新方法
中国科学院深圳先进技术研究院、先进集成技术研究所副研究员李光元团队，提出在光子芯片上减慢光速新方法，有望极大地提高慢光光子芯片器件的性能，并在光传感、光通信、光计算和光缓存等领域获得广泛的应用，也将为慢光技术研究提供新思路
华大半导体旗下中电化合物8吋SiC外延片首批产品交付
此次交付标志着企业的外延产品迈上一个新的台阶，为行业提供更为领先的技术支持，推动碳化硅行业更加快速发展
无需依赖任何国外授权！龙芯新一代国产CPU来了
11月28日，2023龙芯产品发布暨用户大会在京召开，现场发布新一代通用处理器龙芯3A6000、打印机主控芯片龙芯2P0500成果，并对外公布龙芯处理器核IP及龙芯自主指令系统架构授权计划
SK海力士开发出世界首款12层堆叠HBM3 DRAM， 已向客户提供样品
全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB（Gigabyte，千兆字节）**的HBM3 DRAM新产品，并正在接受客户公司的性能验证
中国电科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET成功通过技术鉴定
该项目聚焦新能源汽车、光伏储能、智能电网等领域对高性能高可靠碳化硅 MOSFET器件自主创新的迫切需求，突破多项关键工艺技术，贯通碳化硅衬底、外延、芯片、模块全产业链量产平台
紫光展锐Wi-Fi 6成功通过Wi-Fi联盟认证
近日，紫光展锐Wi-Fi 6产品成功通过Wi-Fi联盟 (简称“WFA”) Qualified Solution 认证，并支持Wi-Fi 6 Release 2，标志着紫光展锐自研Wi-Fi 6 IP技术已经成熟，在互操作性、安全性和一系列应用专有协议方面达到了国际行业标准
华为、哈工大联手：基于硅和金刚石的三维集成芯片专利公布
近日，华为技术有限公司、哈尔滨工业大学申请的“一种基于硅和金刚石的三维集成芯片的混合键合方法”专利公布，申请公布号为CN116960057A
华润微携手锐成芯微推出基于0.153μm HD BCD工艺的eFlash IP
2023年3月，华润微电子有限公司（“华润微”）旗下的无锡华润上华科技有限公司（“华润上华”）宣布，公司在0.153μm HD BCD工艺平台上实现了Logic eFlash嵌入式存储技术与BCD技术的结合，这在国内尚属首创，该工艺平台的eFlash采用了成都锐成芯微科技股份有限公司（“锐成芯微”）的LogicFlash Pro® 专利技术
持续性能优化，从容应对挑战——澜起科技全新第五代津逮®CPU上市
12月18日，澜起科技于今日正式向外界发布其全新第五代津逮®CPU，旨在以多方面的性能优化应对AI、HPC、数据服务、网络/5G、存储等严苛工作负载的挑战
日清纺微电子門脇先生专访：我们非常重视在中国市场的投入和维系
日清纺微电子是由原来的理光微电子和新日本无线合并后成立一个的新公司。理光微电子2003年就进入了中国市场，主要是做电源产品。新日本无线在上海的子公司，2006年进入中国市场，主要销售运放、射频、通讯领域的产品
