长电科技旗下子公司长电先进国内最早开始扇出封装技术FO ECP的研发，FO ECP采用芯片倒装贴到临时载板、塑封，塑封体背面再与硅片键合用来减小翘曲，解键合后，在芯片和模塑料重构表面进行布线和植球，最后塑封体背面的硅片减薄，硅片保留在封装体上。
FO ECP多芯片示意图 图源：长电先进
FO ECP技术高度兼容于现有的晶圆级封装平台，既可实现单颗芯片扇出，亦可实现多种芯片集成扇出。与WLCSP相比，可大幅节省芯片面积，最大可节省芯片面积20%以上，较BGA、QFN及SOP等封装，FO ECP具有更小的封装尺寸和更薄的封装厚度。
长电先进在2015年着手FO ECP生产线建设，2016年成功量产，并持续导入新品。
